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STGP35N35LZ Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics
STGP35N35LZ Datasheet PDF - STMicroelectronics
Il numero della parte STGP35N35LZ
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Produttore elettronici  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Spiegazioni elettronici Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

STGP35N35LZ Datasheet (PDF)

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STGP35N35LZ Scheda tecnica (HTML) - STMicroelectronics


STGP35N35LZ Dettagli del prodotto

Description
This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system.

Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Low threshold voltage
• Low on-voltage drop
• High voltage clamping feature
• Logic level gate charge
• ESD gate-emitter protection
• Gate and gate-emitter integrated resistors

Application
• Automotive ignition




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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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