HY57V648010 Scheda tecnica(PDF) - Hynix Semiconductor

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HY57V648010 Scheda tecnica (PDF) - Hynix Semiconductor

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8Mx8 bit Synchronous DRAM Series

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HY57V648010 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The HY57V648010, HY57V648020, HY57V658010, HY57V658020, HY57V648011, HY57V648021, HY57V658011, HY57V658021 are high speed 3.3V Synchronous DRAMs and fabricated with the Hyundai CMOS process. Each bank shares the same chip inputs and outputs but can be independently operated. The Synchronous devices are compatible with the JEDEC functional description and pinout, offering fully synchronous operation.

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Eorex Corporation	EM482M3244VTB	1Mb / 17P	Synchronous DRAM
Alliance Semiconductor ...	AS4C1M16S	2Mb / 53P	1M x 16 bit Synchronous DRAM

A proposito di Hynix Semiconductor

Hynix Semiconductor è una società sudcoreana specializzata nella progettazione e nella produzione di semiconduttori della memoria.
La compagnia è stata fondata nel 1983 ed è con sede a Icheon, in Corea del Sud.
Hynix è uno dei principali produttori mondiali di DRAM (memoria di accesso casuale dinamico) e memoria NAND Flash, che vengono utilizzate in varie applicazioni come sistemi informatici, dispositivi mobili e unità a stato solido.
Hynix è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori della memoria e la sua capacità di fornire prodotti di memoria di alta qualità e ad alte prestazioni ai suoi clienti.
La società ha operazioni e strutture in vari paesi in tutto il mondo e lavora a stretto contatto con i propri clienti per fornire soluzioni di memoria personalizzate che soddisfino i loro requisiti e esigenze specifiche.
Oltre ai suoi prodotti di memoria, Hynix fornisce anche una gamma di prodotti e soluzioni per i mercati automobilistici e dei data center, come prodotti System-on-a-chip (SOC) e prodotti HBM ad alta larghezza di banda (HBM).

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