10N120BN Scheda tecnica(PDF) - Intersil Corporation

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10N120BN Scheda tecnica (PDF) - Intersil Corporation

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10N120BN Dettagli del prodotto

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor.

Features
• 35A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oC
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Avalanche Rated
• Thermal Impedance SPICE Model
   Temperature Compensating SABER™ Model
   www.intersil.com
• Related Literature
   - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
      Components to PC Boards

Codice articolo simile - 10N120BN

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Fairchild Semiconductor	10N120BN	217Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Fairchild Semiconductor	10N120BND	110Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	10N120BND	82Kb / 7P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000

Descrizione simile - 10N120BN

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BN	217Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BND	110Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTD1N120BNS	71Kb / 7P	5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
	HGTD2N120CNS	89Kb / 7P	13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
	HGTG10N120BND	82Kb / 7P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG27N120BN	82Kb / 7P	72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG30N120CN	113Kb / 8P	75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
	HGT1S10N120BNST	201Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
	HGTD1N120BNS9A	96Kb / 8P	5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Unisonic Technologies	UG1N120	290Kb / 3P	1200V NPT SERIES N-CHANNEL IGBT

A proposito di Intersil Corporation

Intersil Corporation era una società di semiconduttori americani specializzata nella progettazione e nella produzione di circuiti integrati analogici e di segnale misto ad alte prestazioni.
La società è stata fondata nel 1967 ed era nota per la sua esperienza nelle tecnologie di gestione dell'alimentazione, conversione dei dati e radiofrequenza (RF).
I prodotti di Intersil sono stati utilizzati in una vasta gamma di applicazioni come elettronica di consumo, industriali, telecomunicazioni e aerospaziale e difesa.
Nel 2016, Intersil è stato acquisito da Renesas Electronics Corporation, una società di semiconduttori giapponesi.
Il marchio e la tecnologia intersil continuano a essere sviluppati e venduti come parte del portafoglio di prodotti di Renesas.

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