RF3V49092 Scheda tecnica(PDF) - Intersil Corporation

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RF3V49092 Dettagli del prodotto

These complementary power MOSFETs are manufactured using an advanced MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and low voltage bus switches. This product achieves full rated conduction at a gate bias in the 3V to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic level (5V) integrated circuits.

Features
• 20A, 12V (N-Channel) 10A, 12V (P-Channel)
• rDS(ON) = 0.060Ω (N-Channel) rDS(ON) = 0.140Ω (P-Channel)
• Temperature Compensating PSPICE® Model
• On-Resistance vs Gate Drive Voltage Curves
• Peak Current vs Pulse Width Curve
• UIS Rating Curve

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	RFD10P03L	133Kb / 8P	10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET July 1999
Harris Corporation	RFP10P03L	272Kb / 12P	10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET
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A proposito di Intersil Corporation

Intersil Corporation era una società di semiconduttori americani specializzata nella progettazione e nella produzione di circuiti integrati analogici e di segnale misto ad alte prestazioni.
La società è stata fondata nel 1967 ed era nota per la sua esperienza nelle tecnologie di gestione dell'alimentazione, conversione dei dati e radiofrequenza (RF).
I prodotti di Intersil sono stati utilizzati in una vasta gamma di applicazioni come elettronica di consumo, industriali, telecomunicazioni e aerospaziale e difesa.
Nel 2016, Intersil è stato acquisito da Renesas Electronics Corporation, una società di semiconduttori giapponesi.
Il marchio e la tecnologia intersil continuano a essere sviluppati e venduti come parte del portafoglio di prodotti di Renesas.

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