RFL1N08 Scheda tecnica(PDF) - Intersil Corporation

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RFL1N08 Scheda tecnica (PDF) - Intersil Corporation

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RFL1N08 Dettagli del prodotto

Description
These are N-channel enhancement mode silicon-gate power field-effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high-power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate-drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA09282.

Features
• 1A, 80V and 100V
• rDS(ON) = 1.200Ω

Codice articolo simile - RFL1N08

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
New Jersey Semi-Conduct...	RFL1N08	148Kb / 2P	N-Channel, Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	RFL1N08L	92Kb / 2P	N-Channel Logic Level Power Field-Effect Transistors (L2 FET)

Descrizione simile - RFL1N08

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Intersil Corporation	IRFR9110	62Kb / 7P	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
	RFL1N10L	29Kb / 5P	1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET September 1998
	RFL1P08	42Kb / 4P	1A, -80V and -100V, 3.65 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1998
	RFM12N08	43Kb / 5P	12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs October 1998
	RFM18N08	38Kb / 5P	18A, 80V and 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs September 1998
	RFP12P08	37Kb / 5P	12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs June 1999
	RFP2N08	46Kb / 4P	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs July 1998
	RFP6P08	310Kb / 5P	-6A, -80V and -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs October 1999
Harris Corporation	RFP8P08	279Kb / 5P	-8A, -80V AND -100V, 0.400 Ohm, P-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	RFP2N08	93Kb / 2P	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

A proposito di Intersil Corporation

Intersil Corporation era una società di semiconduttori americani specializzata nella progettazione e nella produzione di circuiti integrati analogici e di segnale misto ad alte prestazioni.
La società è stata fondata nel 1967 ed era nota per la sua esperienza nelle tecnologie di gestione dell'alimentazione, conversione dei dati e radiofrequenza (RF).
I prodotti di Intersil sono stati utilizzati in una vasta gamma di applicazioni come elettronica di consumo, industriali, telecomunicazioni e aerospaziale e difesa.
Nel 2016, Intersil è stato acquisito da Renesas Electronics Corporation, una società di semiconduttori giapponesi.
Il marchio e la tecnologia intersil continuano a essere sviluppati e venduti come parte del portafoglio di prodotti di Renesas.

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