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IRF450 Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier
IRF450 Datasheet PDF - International Rectifier
Il numero della parte IRF450
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Produttore elettronici  IRF [International Rectifier]
Homepage  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Spiegazioni elettronici TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.400ohm, Id=12A)

IRF450 Datasheet (PDF)

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IRF450 Dettagli del prodotto

The HEXFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability.

Features:
■ Repetitive Avalanche Ratings
■ Dynamic dv/dt Rating
■ Hermetically Sealed
■ Simple Drive Requirements
■ Ease of Paralleling




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A proposito di International Rectifier

International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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