IRF5210 Scheda tecnica(PDF) - International Rectifier

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IRF5210 Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier

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Produttore elettronici	IRF [International Rectifier]

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Spiegazioni elettronici

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

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Spiegazioni elettronici	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

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IRF5210 Dettagli del prodotto

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P-Channel

Fully Avalanche Rated

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Kersemi Electronic Co.,...	IRF5210	738Kb / 8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF5210	334Kb / 2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF5210L	186Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF5210L	738Kb / 8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF5210L	272Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor

Descrizione simile - IRF5210

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
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	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRF5210S	186Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
	IRF5305	124Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
	IRF5305S	171Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
	IRF540N	99Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

A proposito di International Rectifier

International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

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