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IRFZ24V Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier
IRFZ24V Datasheet PDF - International Rectifier
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Produttore elettronici  IRF [International Rectifier]
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Spiegazioni elettronici Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)

IRFZ24V Datasheet (PDF)

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IRFZ24V Dettagli del prodotto

Description

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.



Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Optimized for SMPS Applications




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A proposito di International Rectifier

International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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