IRG4PC50W Scheda tecnica(PDF) - International Rectifier

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IRG4PC50W Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier

IRG4PC50W Datasheet PDF - International Rectifier


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Produttore elettronici	IRF [International Rectifier]

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Produttore elettronici	IRF [International Rectifier]

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IRG4PC50W Dettagli del prodotto

Features
• Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC
(power factor correction) applications
• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Latest-generation IGBT design and construction offers
tighter parameters distribution, exceptional reliability

Benefits
• Lower switching losses allow more cost-effective operation
than power MOSFETs up to 150 kHz ("hard switched" mode)
• Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher
• Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these
an excellent option for resonant mode switching as well (up to >300 kHz)

Codice articolo simile - IRG4PC50W

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Inchange Semiconductor ...	IRG4PC50W	367Kb / 3P	IGBT 2023-9-12
International Rectifier	IRG4PC50WPBF	242Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4PC50WPBF	251Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4PC50WPBF	251Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Descrizione simile - IRG4PC50W

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
International Rectifier	IRG4BC20U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
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	IRG4BC40F	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRG4BC40U	169Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC30W	123Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4PC40F	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRG4PC50U	147Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRGBC40F	248Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRGPC40F	250Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRG4BC30W	582Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

A proposito di International Rectifier

International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

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