IRG4PH30K Scheda tecnica(PDF) - International Rectifier

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IRG4PH30K Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier

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Produttore elettronici	IRF [International Rectifier]

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

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Produttore elettronici	IRF [International Rectifier]

Homepage	http://www.irf.com

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Spiegazioni elettronici	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

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IRG4PH30K Dettagli del prodotto

Features
• High short circuit rating optimized for motor control,
   tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,
   VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high
   switching speed
• Latest generation design provides tighter parameter
   distribution and higher efficiency than previous
   generations

Benefits
• As a Freewheeling Diode we recommend our
   HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for
   minimum EMI / Noise and switching losses in the
   Diode and IGBT
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power
   density motor controls possible
• This part replaces the IRGPH30K and IRGPH30M
   devices

Codice articolo simile - IRG4PH30K

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
International Rectifier	IRG4PH30KD	212Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRG4PH30KDPBF	468Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PH30KDPBF	477Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PH30KDPBF	477Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PH30KPBF	345Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT

Descrizione simile - IRG4PH30K

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
International Rectifier	IRG4BC20S	157Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRG4BC20U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4PH20K	229Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4PH30KD	212Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRG4PH40K	157Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A)
	IRG4PH40U	163Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
	IRG4PH50K	92Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRG4PH50S	130Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A)
	IRG4PH50U	134Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRG4PSH71K	146Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)

A proposito di International Rectifier

International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

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