IRGPH30S Scheda tecnica(PDF) - International Rectifier

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IRGPH30S Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier

IRGPH30S Datasheet PDF - International Rectifier


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Produttore elettronici	IRF [International Rectifier]

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A)

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IRGPH30S Scheda tecnica (HTML) - International Rectifier

IRGPH30S Datasheet HTML 1Page - International Rectifier

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IRGPH30S Dettagli del prodotto

Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• Optimized for line frequency operation (to 400Hz)

Codice articolo simile - IRGPH30S

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
International Rectifier	IRGPH30S	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

Descrizione simile - IRGPH30S

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
International Rectifier	IRGB440U	252Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
	IRGBC20S	274Kb / 7P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRGPH20M	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A)
	IRGPH20S	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A)
	IRGPH40F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRGPH40M	84Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRGPH40S	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGPH50F	267Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGPH50M	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
	IRGPH50S	96Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)

A proposito di International Rectifier

International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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