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SD603C08S10C Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier
SD603C08S10C Datasheet PDF - International Rectifier
Il numero della parte SD603C08S10C
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Produttore elettronici  IRF [International Rectifier]
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Spiegazioni elettronici FAST RECOVERY DIODES Hockey Puk Version

SD603C08S10C Datasheet (PDF)

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SD603C08S10C Scheda tecnica (HTML) - International Rectifier


SD603C08S10C Dettagli del prodotto

Features
■ High power FAST recovery diode series
■ 1.0 to 2.0 µs recovery time
■ High voltage ratings up to 2200V
■ High current capability
■ Optimized turn on and turn off characteristics
■ Low forward recovery
■ Fast and soft reverse recovery
■ Press-puk encapsulation
■ Case style conform to JEDEC B-43
■ Maximum junction temperature 125°C

Typical Applications
■ Snubber diode for GTO
■ High voltage free-wheeling diode
■ Fast recovery rectifier applications




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A proposito di International Rectifier

International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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