V30200C Scheda tecnica(PDF) - Vishay Siliconix

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V30200C Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

V30200C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Il numero della parte	V30200C

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Produttore elettronici	VISHAY [Vishay Siliconix]

Homepage	http://www.vishay.com

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Spiegazioni elettronici

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A

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Produttore elettronici	VISHAY [Vishay Siliconix]

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V30200C Scheda tecnica (HTML) - Vishay Siliconix

V30200C Dettagli del prodotto

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Low thermal resistance
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per
JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA
package)

Codice articolo simile - V30200C

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V30200C	160Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V30200C	216Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A 19-Jun-2018
	V30200C-E3-4W	160Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V30200C-E3/4W	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08

Descrizione simile - V30200C

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	V30100PW-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A 20-Dec-13
	VT60L45PW	96Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.24 V at IF = 5 A 08-Jan-14
	V30M120C	144Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 17-Nov-16
	VBT1060C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-May-13

A proposito di Vishay Siliconix

Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

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