IRF530 Scheda tecnica(PDF) - ON Semiconductor

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IRF530 Dettagli del prodotto

TMOS E−FET.™ Power Field Effect Transistor
N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain−to−source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating area are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Codice articolo simile - IRF530

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Motorola, Inc	IRF530	157Kb / 2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF530	47Kb / 3P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Jun-1988
Transys Electronics	IRF530	481Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
Samsung semiconductor	IRF530	354Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF530	180Kb / 6P	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V

Descrizione simile - IRF530

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
ON Semiconductor	MTD6N15T4G	125Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate May, 2013 ??Rev. 5
	NTP30N20G	164Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20 March, 2006 ??Rev. 5
	NTB35N15T4G	86Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 5
	NTB13N10T4G	83Kb / 8P	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 6
	MTP10N40E	234Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP2N40E	213Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP3N50E	236Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2
	NTMS4P01R2	232Kb / 8P	P?묬hannel Enhancement?묺ode Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 1
	NTLTD7900N	82Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate October, 2005 ??Rev. 1
	NTP22N06	200Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2

A proposito di ON Semiconductor

ON Semiconductor è un'azienda quotata in borsa che progetta, sviluppa e produce una vasta gamma di prodotti a semiconduttore per una varietà di applicazioni tra cui automobili, calcoli, beni di consumo, industriali e mercati di comunicazione.
La società è stata fondata nel 1999 ed è con sede a Phoenix, in Arizona.
Sul semiconduttore offre un ampio portafoglio di management di potenza, semiconduttori analogici e discreti tra cui MOSFET di potenza, diodi, raddrizzatori, regolatori di tensione, tra gli altri.
I prodotti dell'azienda sono progettati per essere efficienti dal punto di vista energetico, affidabili ed economici e sono utilizzati in una varietà di applicazioni tra cui elettronica portatile, sistemi di automazione industriale, sistemi di energia rinnovabile ed elettronica automobilistica.
Sul semiconduttore si impegna nell'innovazione e nella soddisfazione dei clienti e si impegna a fornire le migliori soluzioni per i semiconduttori per soddisfare le esigenze dei nostri clienti.

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