Motore di ricerca datesheet componenti elettronici
  Italian  ▼
ALLDATASHEETIT.COM

X  

PTF080601 Scheda tecnica (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF080601 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
Il numero della parte PTF080601
Scarica  PTF080601 Scarica
Grandezza file   293.73 Kbytes
Page   6 Pages
Produttore elettronici  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Homepage  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Spiegazioni elettronici LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

PTF080601 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Scarica Scheda tecnica
PTF080601 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

Il numero della parte PTF080601
Scarica  PTF080601 Click to download

Grandezza file   293.73 Kbytes
Page   6 Pages
Produttore elettronici  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Homepage  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Spiegazioni elettronici LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

PTF080601 Scheda tecnica (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF080601 Dettagli del prodotto

Description
The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical EDGE performance
- Average output power = 30W
- Gain = 18 dB
- Efficiency = 40%
• Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 90W
- Gain = 17dB
- Efficiency = 60%
• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28V, 60 W (CW) output power




Codice articolo simile - PTF080601

Produttore elettroniciIl numero della parteScheda tecnicaSpiegazioni elettronici
logo
Infineon Technologies A...
PTF080101 INFINEON-PTF080101 Datasheet
64Kb / 4P
LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTF080101M INFINEON-PTF080101M Datasheet
258Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
64Kb / 4P
LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
172Kb / 9P
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz
2004-10-05
PTF080451 INFINEON-PTF080451 Datasheet
158Kb / 9P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz
2004-06-24
More results


Descrizione simile - PTF080601

Produttore elettroniciIl numero della parteScheda tecnicaSpiegazioni elettronici
logo
Ericsson
PTF10138 ERICSSON-PTF10138 Datasheet
106Kb / 6P
60 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10139 ERICSSON-PTF10139 Datasheet
115Kb / 6P
60 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
logo
Infineon Technologies A...
PTF080451 INFINEON-PTF080451 Datasheet
158Kb / 9P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz
2004-06-24
PTF080901 INFINEON-PTF080901 Datasheet
205Kb / 10P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
2004-04-05
logo
Tyco Electronics
MAPLST0810-045CF MACOM-MAPLST0810-045CF Datasheet
136Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
MAPLST0810-090CF MACOM-MAPLST0810-090CF Datasheet
138Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
MAPLST0810-030CF-05-2004 MACOM-MAPLST0810-030CF-05-2004 Datasheet
137Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
MAPLST0810-045CF MACOM-MAPLST0810-045CF Datasheet
136Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
MAPLST0810-090CF-05-2004 MACOM-MAPLST0810-090CF-05-2004 Datasheet
138Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
logo
Infineon Technologies A...
PTF080101M INFINEON-PTF080101M Datasheet
258Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
More results




A proposito di Infineon Technologies AG


Infineon Technologies è uno dei principali produttori di semiconduttori globali specializzati nella fornitura di soluzioni di gestione dell'alimentazione, sicurezza e controllo per una varietà di settori come i sistemi automobilistici, industriali e di comunicazione.
La compagnia è stata fondata nel 1999 ed è con sede a Neubiberg, in Germania.
Infineon offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, semiconduttori di potenza, sensori e altri circuiti integrati.
La società ha una forte presenza nel mercato globale, con operazioni e strutture in vari paesi del mondo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




Link URL



Lei ha avuto il aiuto da alldatasheet?  [ DONATE ] 

Di alldatasheet   |   Richest di pubblicita   |   contatti   |   Privacy Policy   |   Collegamento alla scheda tecnica    |   scambio Link   |   Ricerca produttore
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com