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PTF211301A Scheda tecnica (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF211301A Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
Il numero della parte PTF211301A
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Spiegazioni elettronici LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz

PTF211301A Datasheet (PDF)

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PTF211301A Scheda tecnica (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF211301A Dettagli del prodotto

Description
The PTF211301 is a 130–W, internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications. It is characaterized for single– and two–carrier WCDMA operation from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical two–carrier WCDMA performance at
   2140 MHz
   - Average output power = 28 W
   - Linear Gain = 13.5 dB
   - Efficiency = 25%
   - Intermodulation distortion = –37 dBc
   - Adjacent channel power = –42 dBc
• Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V
   - Output power at P–1dB = 148 W
   - Efficiency = 50%
• Integrated ESD protection: Human Body
   Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability, low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
   130 W (CW) output power




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A proposito di Infineon Technologies AG


Infineon Technologies è uno dei principali produttori di semiconduttori globali specializzati nella fornitura di soluzioni di gestione dell'alimentazione, sicurezza e controllo per una varietà di settori come i sistemi automobilistici, industriali e di comunicazione.
La compagnia è stata fondata nel 1999 ed è con sede a Neubiberg, in Germania.
Infineon offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, semiconduttori di potenza, sensori e altri circuiti integrati.
La società ha una forte presenza nel mercato globale, con operazioni e strutture in vari paesi del mondo.

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