2SD1950 Scheda tecnica(PDF)

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2SD1950 Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp

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2SD1950 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain.
This is suitable for all kind of driving or muting.

FEATURES
● High DC Current Gain and Good hFE linearity.
hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A)
● Low Collector Saturation Voltage.
VCE(sat) = 0.18 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 10 mA)
● High VEBO : VEBO = 15 15V

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Renesas Technology Corp	2SD1950-T1-AZ	1Mb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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