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PBSS5350X Scheda tecnica (PDF) - NXP Semiconductors

PBSS5350X Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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Spiegazioni elettronici 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

PBSS5350X Datasheet (PDF)

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PBSS5350X Scheda tecnica (HTML) - NXP Semiconductors


PBSS5350X Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
PNP low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package.
NPN complement: PBSS4350X.

FEATURES
• SOT89 (SC-62) package
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• Reduced printed-circuit board requirements.

APPLICATIONS
• Power management
    – DC/DC converters
    – Supply line switching
    – Battery charger
    – LCD backlighting.
• Peripheral drivers
    – Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).
    – Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).




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A proposito di NXP Semiconductors


NXP Semiconductors è un'azienda multinazionale quotata in borsa che progetta, sviluppa e produce una vasta gamma di semiconduttori e circuiti integrati per varie applicazioni, tra cui mercati automobilistici, industriali, di comunicazione e di consumo.
La società è stata fondata nel 2006 ed è con sede a Eindhoven, nei Paesi Bassi.
NXP offre un ampio portafoglio di prodotti, tra cui microcontroller, microprocessori, ICS di autenticazione sicuri, ICS di gestione dell'alimentazione, RF e componenti a microonde e soluzioni di sensori, tra gli altri.
I prodotti dell'azienda sono progettati per essere efficienti dal punto di vista energetico, sicuri e affidabili e sono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui sistemi automobilistici, automazione e controllo industriali, case intelligenti ed edifici e dispositivi connessi.
NXP è dedicato all'innovazione e alla soddisfazione dei clienti e si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni per semiconduttori per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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