IXBH9N140G Scheda tecnica(PDF) - IXYS Corporation

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IXBH9N140G Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

IXBH9N140G Datasheet PDF - IXYS Corporation


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High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBH9N140G Dettagli del prodotto

High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

N-Channel, Enhancement Mode MOSFET compatible

Features
• High Voltage BIMOSFETTM
   - replaces high voltage Darlingtons and series connected MOSFETs
   - lower effective RDS(on)
• MOS Gate turn-on
   - drive simplicity
   - MOSFET compatible for 10V turn on gate voltage
• Monolithic construction
   - high blocking voltage capability
   - very fast turn-off characteristics
• International standard package JEDEC TO-247 AD
• Reverse conducting capability

Applications
• Flyback converters
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• CRT deflection
• Lamp ballasts

Advantages
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density

Codice articolo simile - IXBH9N140G

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N300HV	267Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Descrizione simile - IXBH9N140G

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N140	61Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH15N140	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBN75N170A	91Kb / 2P	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH42N170A	119Kb / 2P	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

A proposito di IXYS Corporation

Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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