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80CPQ150 Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier

80CPQ150 Datasheet PDF - International Rectifier
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80CPQ150 Datasheet (PDF)

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80CPQ150 Scheda tecnica (HTML) - International Rectifier


80CPQ150 Dettagli del prodotto

Description/ Features

The 80CPQ150 center tap Schottky rectifier series has been optimized for low reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier technology allows for reliable operation up to 175° C junction temperature. Typical applications are in switching power supplies, converters, free- heeling diodes, and reverse battery protection.



175° C TJ operation

Center tap TO-247 package

High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance

Low forward voltage drop

High frequency operation

Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability




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A proposito di International Rectifier


International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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