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MBRF3035C Scheda tecnica (PDF) - Vishay Siliconix

MBRF3035C Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Spiegazioni elettronici Dual Schottky Rectifiers

MBRF3035C Datasheet (PDF)

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MBRF3035C Scheda tecnica (HTML) - Vishay Siliconix


MBRF3035C Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier technology allows for reliable operation up to 150 °C junction temperature. Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection.

FEATURES
• 150 °C TJoperation
• Center tap TO-220 package
• Low forward voltage drop
• High frequency operation
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for
   enhanced mechanical strength and moisture resistance
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability
• Designed and qualified for industrial level




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A proposito di Vishay Siliconix


Vishay Siliconix è una consociata di Vishay Intertechnology, un produttore globale di componenti elettronici passivi.
Vishay Siliconix è specializzata nella progettazione, produzione e commercializzazione di MOSFET di potenza, IGBT e altri semiconduttori di potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1962 ed ha sede a Santa Clara, in California.
Vishay Siliconix offre soluzioni di alimentazione per una varietà di applicazioni, tra cui sistemi di energia rinnovabile, apparecchiature industriali, calcolo e telecomunicazioni e elettronica automobilistica.
I prodotti dell'azienda sono progettati per alta efficienza, bassa consumo di energia e elevata affidabilità e sono fabbricati in strutture all'avanguardia utilizzando processi di fabbricazione avanzati.
Con particolare attenzione all'innovazione e alla soddisfazione del cliente, Vishay Siliconix si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni di gestione dell'alimentazione per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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