STS4DPF30L pdf, STS4DPF30L Spiegazioni elettronici, STS4DPF30L Scheda tecnica, STS4DPF30L view ::: ALLDATASHEET :::

Il numero della parte	STS4DPF30L

Spiegazioni elettronici	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

Grandezza file	1335.98 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5

Produttore elettronici	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

Homepage	http://www.doingter.cn/

Logo

Codice articolo simile - STS4DPF30L

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
STMicroelectronics	STS4DPF30L	108Kb / 6P	DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STripFET™ POWER MOSFET Apr-2002
VBsemi Electronics Co.,...	STS4DPF30L	1Mb / 9P	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	AO4805	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AP4957GM	544Kb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	HAT1016R	1Mb / 5P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SPP4925B	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SPP4953	1Mb / 5P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SSG4935P	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	STM4953	1Mb / 5P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	STM4973	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	UM3203	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	UT4957G-S08-R	1Mb / 4P	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology