PB1000 ... PB1010 | PB1000S ... PB1010S

Maximum ratings

Grenzwerte

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+150°C

Admissible mounting torque

Zulässiges Anzugsdrehmoment

M4

9 ± 10% lb.in.

1 ± 10% Nm

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage

Durchlass-Spannung

< 1.2 V 1)

Leakage current

Sperrstrom

< 5 µA

Reverse recovery time

Sperrverzug

Typical junction capacitance

Typische Sperrschichtkapazität

Thermal resistance junction to ambient (per device)

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)

< 22 K/W 2)

Thermal resistance junction to case (per device)

Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)

< 3.3 K/W

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet

1

Valid per diode – Gültig pro Diode

2

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

Rated forward current versus ambient temperature

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.

I

FAV

[%]

120

100

80

60

40

20

0

[°C]

T

A

150

100

50

0

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

10

10

1

10

10

2

-1

-2

I

F

[A]

0.4

0.8

1.0

1.2 1.4

1.8

[V]

V

F

T = 25°C

j

T = 125°C

j

150a-(5a-1.2v)