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CH554 Scheda tecnica(PDF) 13 Page - Nanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. |
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13 / 54 page ![]() CH554 手册 13 flash-ROM 状态寄存器(ROM_STATUS): 位 名称 访问 描述 复位值 7 保留 RO 保留 0 6 bROM_ADDR_OK RO flash-ROM 写操作地址有效状态位: 该位为 0 表示参数无效;为 1 表示地址有效 0 [5:2] 保留 RO 保留 0000b 1 bROM_CMD_ERR RO flash-ROM 操作命令错误状态位: 该位为 0 表示命令有效;为 1 表示是未知命令 0 0 保留 RO 保留 0 6.5 flash-ROM 操作步骤 1、写 flash-ROM 代码区域,向目标地址写入双字节数据: (1)、如果需要写 flash-ROM 代码,则必须选择 5V 电源电压; (2)、使能安全模式,SAFE_MOD = 55h;SAFE_MOD = 0AAh; (3)、设置全局配置寄存器 GLOBAL_CFG 开启写使能(bCODE_WE 或 bDATA_WE 对应 code 或 data); (4)、设置地址寄存器 ROM_ADDR,写入 16 位目标地址(最低位总是 0) ; (5)、设置数据寄存器 ROM_DATA,写入 16 位要写入的数据,步骤(4)、(5)顺序可对调; (6)、设置操作控制寄存器 ROM_CTRL 为 09Ah,执行写操作,操作期间程序自动暂停运行; (7)、操作完成后程序恢复运行,此时查询状态寄存器 ROM_STATUS 可以查看此次操作状态;如果 要写多个数据,则循环(4)、(5)、(6)、(7)步骤; (8)、再次进入安全模式,SAFE_MOD = 55h;SAFE_MOD = 0AAh; (9)、设置全局配置寄存器 GLOBAL_CFG 开启写保护(bCODE_WE=0,bDATA_WE=0)。 2、写 Data Flash 数据区域,向目标地址写入单字节数据: (1)、使能安全模式,SAFE_MOD = 55h;SAFE_MOD = 0AAh; (2)、设置全局配置寄存器 GLOBAL_CFG 开启写使能(bDATA_WE 对应 data); (3)、设置地址寄存器 ROM_ADDR,写入 16 位目标地址,实际偏移地址 00H-7FH 必须左移 1 位变为 偶地址 00H/02H/04H …~FEH 后再置入,最终地址依次是 C000H/C002H/C004…; (4)、设置数据寄存器 ROM_DATA_L,写入 8 位要写入的数据,步骤(3)、(4)顺序可对调; (5)、设置操作控制寄存器 ROM_CTRL 为 09Ah,执行写操作,操作期间程序自动暂停运行; (6)、操作完成后程序恢复运行,此时查询状态寄存器 ROM_STATUS 可以查看此次操作状态;如果 要写多个数据,则循环(3)、(4)、(5)、(6)步骤; (7)、再次进入安全模式,SAFE_MOD = 55h;SAFE_MOD = 0AAh; (8)、设置全局配置寄存器 GLOBAL_CFG 开启写保护(bCODE_WE=0,bDATA_WE=0)。 3、读 Data Flash 数据区域,从目标地址读取单字节数据: (1)、设置地址寄存器 ROM_ADDR,写入 16 位目标地址,实际偏移地址 00H-7FH 必须左移 1 位变为 偶地址,最终地址依次是 C000H/C002H/C004 …; (2)、设置操作控制寄存器 ROM_CTRL 为 08Eh,执行读操作,操作期间程序自动暂停运行; (3)、操作完成后程序恢复运行,此时查询状态寄存器 ROM_STATUS 中的 bROM_CMD_ERR 可以查看此 次操作状态;如果命令有效,那么读出的 8 位数据将保存在数据寄存器 ROM_DATA_L 中; (4)、如果要读多个数据,则循环(1)、(2)、(3)步骤。 4、读 flash-ROM: 直接使用 MOVC 指令,或通过指向程序存储空间的指针,读取目标地址的 code 或 data。 |
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