CD4066 datasheet(4/10 Pages) HMSEMI

4 / 10 page

3.4、交流电气特性(1), (2) (VSS = 0 V; Tamb = 25 C; 输入传输时间 20 ns)

参数名称

符号

测试条件

典型

最大

单位

备注

传输延时

Vis

Vos

VDD =5V

HIGH to LOW

tPHL

VDD =9V

见注

VDD =5V

LOW to HIGH

tPLH

VDD =9V

见注

输出禁止时间

Vos

VDD =5V

160

HIGH

tPHZ

VDD =9V

130

见注

VDD =5V

160

LOW

tPLZ

VDD =9V

140

见注

输出使能时间

Vos

VDD =5V

HIGH

TPZH

VDD =9V

见注

VDD =5V

LOW

TPZL

VDD =9V

见注

VDD =5V

0.25

失真

（正弦波）

VDD =9V

0.04

见注

VDD =5V

任意两个通

道间的串扰

VDD =9V

MHz

见注

VDD =5V

串扰（输入输

出有效）

VDD =9V

见注

VDD =5V

关断态

VDD =9V

MHz

见注

VDD =5V

导通频响

VDD =9V

MHz

见注

VDD =5V

800fi

(foCL)×VDD2

动态功耗

VDD =9V

3500fi

(foCL)×VDD2

W

fi ：输入频率

fo：输出频率

CL：负载电容

(foCL) ：输出总和

VDD电源电压

注：

1. Vis是Y或Z端的输入电压。

2. Vos是Y或Z 端的输出电压。

3. RL = 10 k　（对地）；CL = 50 pF（对地）； En = VDD; Vis = VDD (方波); 见图6 和图10。

4. RL = 10 k ; CL = 50 pF

（对地）

; En = VDD (方波);

测试

tPHZ 和tPZH时，Vis = VDD and RL接地；

测试

tPLZ 和tPZL时，Vis = VSS and RL接 VDD ；见图6 和图11.

5. RL = 10 k　；CL = 15 pF; En = VDD; Vis = 1/2 VDD(p-p) (正弦波, 直流偏置为1/2 VDD); fis = 1 kHz;

见图

第

4 页

CD4066

CD4066 Scheda tecnica(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

CD4066 Scheda tecnica(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Scheda tecnica Scarica

Link URL