Q62703-Q1663 datasheet(2/7 Pages) SIEMENS

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Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 480,

SFH 481, SFH 482

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 480-2

Q62703-Q1662

18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-

Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Ge-

häuseboden

18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm

(1/10’’), cathode marking: projection at package

SFH 480-3

Q62703-Q1663

SFH 481

Q62703-Q1088

SFH 481-1

Q62703-Q1664

SFH 481-2

Q62703-Q1665

SFH 482

Q62703-Q1089

SFH 482-1

Q62703-Q1667

SFH 482-2

Q62703-Q1668

SFH 482-3

Q62703-Q1669

SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186

Wesentliche Merkmale

Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren

Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

Hohe Zuverlässigkeit

Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

Hermetisch dichtes Metallgehäuse

SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216

SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,

BPY 63

SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,

BPX 65

Anwendungen

Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

IR-Gerätefernsteuerungen

Features

GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

Anode is electrically connected to the case

High reliability

Matches all Si-Photodetectors

Hermetically sealed package

SFH 480: Same package as SFH 216

SFH 481: Same package as BPX 43,

BPY 63

SFH 482: Same package as BPX 38,

BPX 65

Applications

Photointerrupters

IR remote control of various equipmet

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