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LP2996 Scheda tecnica(PDF) 9 Page - National Semiconductor (TI)

[Old version datasheet] Texas Instruments acquired National semiconductor.
Il numero della parte LP2996
Spiegazioni elettronici  DDR Termination Regulator
PDF  18 Pages
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Produttore elettronici  NSC [National Semiconductor (TI)]
Homepage  http://www.national.com
Logo NSC - National Semiconductor (TI)

LP2996 Scheda tecnica(HTML) 9 Page - National Semiconductor (TI)

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9
www.national.com/jpn/
端子説明
AVIN および PVIN
AVIN および PVIN は LP2996 の電源端子です。AVIN は、全内
部回路の電源として用いられます。PVIN は、VTT 生成用の出力
段専用電源です。アプリケーションによっては両電源端子に異な
る電源を与えて動作させるのも可能です。 VTT に近い電圧の場
合 RSDON によって出力が制限されますが、PVIN に高電圧を与
えれば最大連続出力電流を増加させることができます。ただし、
PVIN に高電圧を与えると内部電力損失が増え、設計が熱的な
制約を受ける問題点が生じます。 SSTL-2 アプリケーションでは、
AVINとPVINをともに 2.5Vレールに接続するのが最も妥当です。
短絡により 2 つの端子を個別にバイパスする必要はありません。
入力電圧の選択に対する唯一の制約として、
PVIN は AVIN 以下
でなければなりません。 過度の内部電力消費による熱リミットへの
到達を防ぐため、PVIN は 3.3V 以下の電圧レールに接続すること
を推奨します。 接合部温度がサーマル・シャットダウン温度超える
と、デバイスはマニュアルでのシャットダウン時と同じ状態に入り、
VREF はそのまま維持されますが、VTT は TRI-STATE になります。
VDDQ
VDDQ は入力で、VTT のレギュレートに必要な内部リファレンス電
圧の生成に使われます。リファレンス電圧は 2 個の 50kΩ 内蔵抵
抗の分圧によって生成されます。これによって、VTT の VDDQ/2
に対する正確な追従が得られます。リモート・センスとなるように
VDDQ 端子に配線してください。AVIN または PVIN の代わりに、
DIMM 点の 2.5V を VDDQ に直接接続すればよいでしょう。こう
すると内部リファレンス電圧は、電源配線での電圧降下の影響を
受けずに、
DDRメモリ部の電源電圧に正確に追従します。SSTL-
2 アプリケーションで VDDQ は 2.5V なので、ターミネーション電圧
VTTとして 1.25V が生成されます。( 温度に対する VTT の変化
範囲の正確な値は「電気的特性」の表を参照してください )。
VSENSE
本センス端子の目的は、遠端の負荷レギュレーションの改善にあ
ります。 多くのマザーボードでは、VTT は長い配線を通ってターミ
ネーション抵抗に接続されます。このとき LP2996 の出力点で電
圧のセンスを行うと、長い配線によって起こる大きな電圧降下によ
り、バス端のターミネーション電圧はバスの他点よりも低くなってしま
う問題が生じます。そこでバスの中点付近の電圧を VSENSE 端
子に与え、バス遠端で電圧が低下する問題を改善するようにして
ください。この方法によりバス全体の電圧が良好に保たれます。
遠端での負荷レギュレーションを行わない場合は、VSENSE 端子
には VTT を与えなければなりません。 VSENSE 信号の配線をメモ
リに近接して実装する際は注意が必要です。 VSENSE 配線にノ
イズが重畳するとVTTの正確なレギュレーションに影響を与える場
合があります。 VSENSE 端子の近くに 0.1μF セラミック・コンデン
サを設けると、高周波数信号がフィルタされるので、誤動作を防
げます。
シャットダウン
LP2996 は、VTT 出力を TRI-STATE にするアクティブ LOW の
シャットダウン端子を備えています。シャットダウン中は VTT に AVIN
を超える電圧を与えてはなりません。シャットダウン端子を LOW に
した場合、LP2996 の待機時消費電流は下がりますが、VDDQ の
インピーダンスは内部リファレンス電圧の生成のために100kΩで一
定です。そのため、シャットダウン時の総電力損失の計算では、
両方の電流 ( 待機時消費電流とVDDQを流れる電流 )を考慮す
る必要があります。 詳細は「放熱」の項を参照してください。
シャットダウン端子は内部でプルアップされているため、デバイスを
ターンオンする場合はシャットダウン端子を AVIN に接続するか開
放にします。
VREF
VREF は内部リファレンス電圧 VDDQ/2 のバッファ出力です。本出
力は、ノースブリッジ・チップセットとメモリに対するリファレンス電
圧として使用します。通常それらの入力のインピーダンスは高いの
で、VREF 端子を流れる電流はわずかです。ノイズ対策として端
子近くにバイパス・コンデンサを設けると、レギュレーション性能が
改善されます。推奨品は 0.1μF から 0.01μF のセラミック・コンデ
ンサです。 VREF 出力は、Suspend-to-RAM 機能をサポートする
ため、シャットダウン時およびサーマル・シャットダウン時もアクティブ
状態を維持します。
VTT
VTTはバスのターミネーション抵抗に与えられるレギュレート電圧出
力です。 VDDQ/2 電圧に高い精度で追従し、併せて電流ソース
と電流シンクの能力を備えています。LP2996 は、高速応答によっ
て最大± 3Aまでのピーク電流変動に対応できるように設計されて
います。最大連続電流は VIN の関数で、「代表的な性能特性」
に記載されています。最大連続電流定格を超える変動が長時間
にわたり見込まれるのであれば、出力コンデンサ容量を十分大き
くして過度の電圧低下の発生を防いでください。LP2996 は出力
電流の大きな変動にも耐え得るように設計されていますが、すべ
ての条件のもとで、そのような状況に長時間対応するのは困難で
す。その理由は、小型の標準パッケージを採用しているため、過
大な内部電力損失によって生じる熱を逃がせないためです。 長
時間にわたり大電流が求められる場合は、最大接合部温度を超
えないように注意が必要です。 熱に応じて、使用定格を適切に
下げるようにしてください (「放熱」を参照 )。接合部温度がサー
マル・シャットダウン・ポイントを超えると、ヒシテリシスを持つトリッ
プ・ポイント温度を下回るまで、VTT は TRI-STATEとなります。
部品の選択
入力コンデンサ
LP2996 は、入力安定化を目的とする入力コンデンサは必要では
ありません。ただし大きな負荷変動時に入力電圧の低下を防ぐた
めに、入力コンデンサの使用を推奨します。 入力コンデンサは、
可能な限り PVIN の近くに配置します。アプリケーションの要件に
よって推奨条件が異なります。アルミ電解コンデンサを用いた場
合、推奨容量は 50μF です。セラミック・コンデンサを用いる場合
は、容量は 10μF 前後とし、誘電体の温度特性が X5R 以上の
コンデンサが理想的といえます。なお、LP2996 が 2.5V DC-DC
コンバータの出力コンデンサの近くにレイアウトされている場合は、
入力コンデンサを省略しても構いません。 2 系統の電源レール
(AVIN と PVIN) を使用する場合、PVIN 端子の可能な限り近くに
47μF コンデンサを配置してください。また、デバイスに過度のノイ
ズがカップリングしないよう、AVIN 端子に 0.1μF セラミック・コンデ
ンサを追加しても構いません。



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