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IRF640N Scheda tecnica, PDF

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International Rectifier		 IRF640N IRF-IRF640N Datasheet
155Kb/11P 		Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
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Fairchild Semiconductor		 IRF640N FAIRCHILD-IRF640N Datasheet
160Kb/11P 		N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
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International Rectifier		 IRF640N IRF-IRF640N Datasheet
240Kb/11P 		HEXFET Power MOSFET
IRF640N IRF-IRF640N Datasheet
248Kb/12P 		Advanced Process Technology
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Inchange Semiconductor ...		 IRF640N ISC-IRF640N Datasheet
201Kb/2P 		N-Channel MOSFET Transistor
IRF640N ISC-IRF640N Datasheet
338Kb/2P 		N-Channel MOSFET Transistor
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155Kb/11P 		Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
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240Kb/11P 		HEXFET Power MOSFET
IRF640NL IRF-IRF640NL Datasheet
248Kb/12P 		Advanced Process Technology
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Kersemi Electronic Co.,...		 IRF640NL KERSEMI-IRF640NL Datasheet
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288Kb/2P 		Isc N-Channel MOSFET Transistor
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International Rectifier		 IRF640NLPBF IRF-IRF640NLPBF Datasheet
300Kb/12P 		HEXFET짰 Power MOSFET
IRF640NLPBF IRF-IRF640NLPBF Datasheet
341Kb/11P 		Advanced Process Technology
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Kersemi Electronic Co.,...		 IRF640NLPBF KERSEMI-IRF640NLPBF Datasheet
8Mb/11P 		Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
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International Rectifier		 IRF640NLPBF IRF-IRF640NLPBF Datasheet
341Kb/11P 		Advanced Process Technology
IRF640NPBF IRF-IRF640NPBF Datasheet
300Kb/12P 		HEXFET짰 Power MOSFET
IRF640NPBF IRF-IRF640NPBF Datasheet
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IRF640N Scheda tecnica, PDF [Reseller]

ResellerIl numero della parte Produttore elettronici
Scheda tecnica		Spiegazioni elettroniciBuy Now
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Element14		 IRF640NSPBF

part		 INFINEON

 MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain ...

IRF640N Reseller
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Breve descrizione di IRF640N

L'IRF640N è un MOSFET di potenza a canale N (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) progettato per la commutazione ad alta velocità e l'efficiente gestione della potenza in un'ampia gamma di circuiti elettronici. Prodotto da International Rectifier (ora parte di Infineon Technologies), l'IRF640N è ampiamente utilizzato in applicazioni come alimentatori, driver per motori, convertitori CC-CC e inverter.

Questo MOSFET è in grado di gestire tensioni e correnti elevate, con una tensione drain-source (VDS) di 200 V, una corrente di drain continua (ID) fino a 18 A e una bassa resistenza di conduzione (RDS(on)) di circa 0,18 ohm, che lo rendono adatto ad applicazioni di potenza medio-alta. Presenta inoltre un'elevata velocità di commutazione e una bassa carica di gate, consentendo un funzionamento efficiente ad alta frequenza.

L'IRF640N è tipicamente confezionato in un contenitore TO-220, che offre buone prestazioni termiche e consente un facile dissipamento del calore quando montato su PCB. Viene spesso utilizzato in circuiti che richiedono un controllo e una commutazione efficienti della potenza, soprattutto in ambienti con elevata tensione e richieste di corrente moderate.

Nel complesso, l'IRF640N è un MOSFET di potenza durevole e affidabile che offre prestazioni eccellenti per applicazioni di commutazione e amplificazione sia nell'elettronica industriale che in quella di consumo.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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