12N60 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Comincia con	12N60(47) 12N60A(3) 12N60C(1) 12N60G(14) 12N60K(7) 12N60L(14)
Fine	12N60(62) F12N60(18) A12N60(2) B12N60(2) I12N60(1) P12N60(13) T12N60(3) W12N60(3) S12N60(1) H12N60(2) M12N60(2) R12N60(1) *G12N60(1)
Include	12N60(200) 12N60C(2)

Produttore elettronici

12N60 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Unisonic Technologies	12N60	235Kb/6P	12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
	12N60	358Kb/7P	12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
	12N60	371Kb/7P	12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	12N60	356Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	12N60	136Kb/2P	Drain Current ?밒D= 12A@ TC=25C
Chongqing Pingwei Enter...	12N60	194Kb/2P	12A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DIYI Electronic Technol...	12N60	2Mb/9P	600V N-Channel Power MOSFET
Zibo Seno Electronic En...	12N60	820Kb/7P	N-CHANNEL POWER MOSFET
SUNMATE electronic Co.,...	12N60	2Mb/8P	N-CHANNEL POWER MOSFET
VBsemi Electronics Co.,...	12N60	1Mb/9P	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET
Goford Semiconductor	12N60	863Kb/9P	600VN-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION
Jiangsu Donghai Semicon...	12N60	898Kb/11P	12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	12N60	897Kb/11P	12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	12N60	897Kb/11P	12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	12N60	898Kb/11P	12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	12N60A	885Kb/5P	12A 600V N-channel enhanced field effect transistor
Fairchild Semiconductor	12N60A4	229Kb/8P	600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
Intersil Corporation	12N60A4D	394Kb/8P	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode November 1999
Fairchild Semiconductor	12N60A4D	173Kb/8P	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Unisonic Technologies	12N60C	235Kb/6P	12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

12 3 4

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Breve descrizione di 12N60

Il codice prodotto 12N60 si riferisce generalmente a un tipo specifico di transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo (MOSFET). I MOSFET sono ampiamente utilizzati nei circuiti sia digitali che analogici per la loro elevata impedenza di ingresso e capacità di commutazione rapida.

Un MOSFET 12N60 in genere avrebbe le seguenti caratteristiche:

Tensione Drain-to-Source (Vds): il 60 in 12N60 indica spesso la tensione massima che può gestire tra i terminali drain e source, che in questo caso sarebbe 60 volt.

Corrente di scarico continua (Id): il 12 a volte può riferirsi alla corrente continua massima che il dispositivo può gestire in ampere, che sarebbe circa 12 A.

Rds(on): questa è la resistenza tra drain e source quando il MOSFET è acceso. I valori più bassi sono in genere migliori per l'efficienza.

Tensione di soglia del gate (Vgs(th)): la tensione alla quale il MOSFET inizia ad accendersi. Questo parametro è importante per sapere a quale tensione di gate il dispositivo inizia a condurre.

Dissipazione di potenza totale (Pd): la quantità massima di potenza che il MOSFET può dissipare senza superare la sua temperatura operativa massima.

Pacchetto: i pacchetti comuni per MOSFET di potenza come il 12N60 includono TO-220, TO-247 e altri che possono essere montati su un dissipatore di calore per la gestione termica.

Velocità di commutazione: il tempo impiegato dal MOSFET per accendersi e spegnersi, che è fondamentale per le applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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