2N60 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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corrispondente, Like	82N60(1) 22N60(2) 12N60(15) 2N60(23) L2N60(1) I2N60(7) F2N60(7) B2N60(6) D2N60(6) E2N60(6) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(1) 2N60E(1) 2N60F(1) 2N60G(1) 2N60H(1) 2N60I(1) 2N60K(2) 2N60L(2) 2N60M(1) 2N60N(1) 2N60P(1) 2N60S(1) 2N60T(1) 2N60Z(1)
Comincia con	2N60(944) 2N60-(20) 2N602(54) 2N603(118) 2N604(100) 2N605(137) 2N606(10) 2N607(103) 2N608(18) 2N609(26) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(7) 2N60E(3) 2N60F(4) 2N60G(70) 2N60H(1) 2N60K(62) 2N60L(164) 2N60M(6) 2N60N(3) 2N60Z(18)
Fine	2N60(288) 02N60(35) D2N60(24) 12N60(62) F2N60(22) U2N60(15) B2N60(4) I2N60(6) P2N60(17) S2N60(3) 32N60(4) V2N60(2) T2N60(5) M2N60(4) 42N60(1) R2N60(3) W2N60(3) L2N60(4) 22N60(9) Q2N60(1) 72N60(2) J2N60(2) A2N60(1) Y2N60(2) X2N60(1) E2N60(1) K2N60(1) 82N60(1) *52N60(2)
Include	2N60(1102) 2N60A(3) 2N60C(2) 2N60D(2) 2N60G(18) 2N60H(9) 2N60K(7) 2N60L(18) 2N60S(6) 2N60_(6)

Produttore elettronici

2N60 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Unisonic Technologies	2N60	142Kb/8P	2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
Estek Electronics Co. L...	2N60	573Kb/5P	N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	224Kb/6P	2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	245Kb/6P	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	2N60	391Kb/8P	N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	157Kb/2P	Fast Switching
Chongqing Pingwei Enter...	2N60	201Kb/2P	2A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DIYI Electronic Technol...	2N60	1Mb/9P	600V N-Channel Power MOSFET
Zibo Seno Electronic En...	2N60	450Kb/6P	N-CHANNEL MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	316Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
SUNMATE electronic Co.,...	2N60	2Mb/8P	N-CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	2N60	389Kb/7P	N-CHANNEL MOSFET
VBsemi Electronics Co.,...	2N60	1Mb/9P	Power MOSFET
Jiangsu High diode Semi...	2N60	2Mb/3P	TO-251 Plastic-Encapsulate MOSFET
Guangdong Kexin Industr...	2N60	60Kb/2P	N-Channel MOSFET
Jiangsu Donghai Semicon...	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Breve descrizione di 2N60

Il 2N60 è un MOSFET a canale N che è ottimizzato per applicazioni di alimentazione ad alta tensione, offrendo caratteristiche come commutazione rapida, carica di gate bassa e bassa resistenza allo stato. È inoltre progettato per resistere a robuste condizioni di valanga. Queste caratteristiche lo rendono comunemente utilizzato in alimentatori, controlli del motore PWM, convertitori DC a DC e circuiti a ponte.

Ecco un riassunto delle caratteristiche del 2N60:

Tensione della sorgente (V_DSS): può tollerare fino a 600 V, che è la massima tensione tra il drenaggio e la sorgente quando il MOSFET è disattivato.

Tensione del gate alla sorgente (V_GSS): supporta un gate per una tensione di origine di ± 30 V.

Corrente di scarico (I_D): il 2N60 può sostenere una corrente di scarico di 2A, indicando la corrente massima che può fluire attraverso il terminale di scarico continuamente.

Dissipazione di potenza (P_D): ha una valutazione di dissipazione di potenza di 23W, dettando quanta potenza può gestire prima di superare la temperatura massima di giunzione.

Temperatura di giunzione (T_J): la temperatura di giunzione operativa può raggiungere fino a 150 ° C.

Temperatura di conservazione (T_STG): il componente può essere conservato a temperature che vanno da -55 a +150 ° C.

Per implementazioni specifiche, il dispositivo offre una bassa resistenza di 3,8Ω a un V_GS di 10 V. La carica di gate bassa (tipica a 9,0 nc) e la bassa capacità di trasferimento inversa (CRSS = 5,0 pf tipiche) facilitano la commutazione rapida e la migliore efficienza. Queste specifiche sono orientate a garantire che il MOSFET possa fornire le prestazioni richieste nelle attività di gestione dell'alimentazione con efficienza e affidabilità.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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