2N7000 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

2N7000 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Vishay Siliconix	2N7000	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
NXP Semiconductors	2N7000	76Kb/12P	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995
Microchip Technology	2N7000	762Kb/14P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 02/28/20
ON Semiconductor	2N7000	372Kb/13P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor April, 2024 - Rev. 10
Vishay Siliconix	2N7000	51Kb/5P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Vishay Siliconix	2N7000	68Kb/7P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	2N7000	148Kb/2P	Small Signal MOSFET
General Semiconductor	2N7000	232Kb/5P	DMOS Transistors (N-Channel)
ON Semiconductor	2N7000	60Kb/4P	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92 November, 2000 ??Rev. 5
Vishay Siliconix	2N7000	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Diodes Incorporated	2N7000	22Kb/1P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET NOVEMBER 1994
STMicroelectronics	2N7000	383Kb/14P	N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET 19-Jun-2006
ON Semiconductor	2N7000	57Kb/4P	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N?묬hannel TO??2 200 mAMPS 60 VOLTS March, 2007 ??Rev. 6
Vishay Siliconix	2N7000	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
STMicroelectronics	2N7000	355Kb/14P	N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET??Power MOSFET 03-Sep-2007
Supertex, Inc	2N7000	524Kb/5P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Dc Components	2N7000	216Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7000	358Kb/3P	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Weitron Technology	2N7000	173Kb/4P	Small Signal MOSFET N-Channel
Motorola, Inc	2N7000	77Kb/4P	CASE 29-04, STYLE 22 TO-92 (TO-226AA)

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Breve descrizione di 2N7000

Il 2N7000 è un MOSFET a canale N (transistor ad effetto di campo-semiconduttore metallico) che viene comunemente usato nei circuiti elettronici per varie applicazioni come la commutazione, l'amplificazione e la regolazione della tensione.

Il 2N7000 MOSFET ha un punteggio massimo di tensione di 60 V e una valutazione di corrente massima di 200 mA. Ha anche una bassa tensione di soglia di gate di 2,1 V, il che significa che può essere facilmente controllato con segnali di basso livello.

A causa delle sue dimensioni ridotte, bassa resistenza e velocità di commutazione elevata, il 2N7000 MOSFET viene spesso utilizzato in applicazioni a bassa potenza in cui sono importanti velocità di commutazione rapida e dissipazione a bassa potenza. È comunemente usato nei circuiti che richiedono la commutazione di segnali ad alta velocità, come nei driver a LED, convertitori DC-DC e caricabatterie.

Equivalente per 2N7000

2N7000 è un transistor MOSFET a canale N con una tensione massima di drenaggio di 60 V e una corrente di drenaggio continuo massima di 200 mA. Se stai cercando un sostituto per il 2N7000, ci sono diverse alternative disponibili sul mercato. Ecco alcune opzioni che potresti considerare:

2N7002: si tratta di una sostituzione diretta per il 2N7000, con caratteristiche elettriche simili e configurazione del pin. Ha una tensione massima di drenaggio di 60 V e una corrente di scarico continua massima di 270 mA.

BS170: questo è un altro transistor MOSFET a canale N che può sostituire il 2N7000. Ha una tensione massima di drenaggio di 60 V e una corrente di scarico continua massima di 500 mA, che lo rende adatto per applicazioni di alimentazione più elevate.

IRF510: questo è un transistor MOSFET a canale N Power che può anche sostituire il 2N7000. Ha una tensione massima di drenaggio di 100 V e una corrente di scarico continua massima di 5,6A, che la rende adatto per applicazioni ad alta potenza. Tuttavia, ha una configurazione e un tipo di pacchetto PIN diverso, che potrebbe richiedere alcune modifiche al layout del PCB.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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