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Produttore elettronici


2N7002T Scheda tecnica, PDF

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DS30301 Rev. 2 - 2
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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N-Channel Plastic- Encapsulate MOSFETS
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SOT-523 Plastic-Encaps u late MOSFET
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Voltage controlled small signal switch

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Breve descrizione di 2N7002T


Il 2N7002T è un MOSFET a channel N a segnale piccolo (transistor ad effetto campo-semiconduttore metallico). I MOSFET sono ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per la loro capacità di controllare e amplificare i segnali elettronici. Il 2N7002T è progettato per applicazioni a bassa potenza ed è comunemente utilizzato per scopi di commutazione e amplificazione.

Ecco alcune specifiche chiave del MOSFET 2N7002T:

Tipo di transistor: MOSFET N-Canale
Tensione massima di drenaggio (VDS): 60V
Tensione massima di gate-source (VGS): ± 20V
Corrente di scarico continuo massimo (ID): 115MA
Dissipazione massima di potenza (PD): 360MW
Tensione di soglia (VTH): in genere circa 1,5 V.
Su resistenza (RDS (ON)): in genere circa 5Ω a VGS = 4,5 V

Il MOSFET 2N7002T è comunemente utilizzato per applicazioni di commutazione a bassa tensione. Offre una tensione a bassa soglia, il che significa che può essere facilmente controllato da segnali a bassa tensione. La resistenza di resistenza è relativamente bassa, consentendo operazioni di commutazione efficienti.

Equivalente per 2N7002T


Il 2N7002T è un tipo specifico di MOSFET N-Canale (transistor ad effetto campo-semiconduttore metallico) comunemente usato per applicazioni di commutazione a bassa potenza. Sebbene una sostituzione esatta con lo stesso numero di parte potrebbe non essere prontamente disponibile, ci sono opzioni alternative che possono essere considerate. Ecco alcuni potenziali sostituti per il Mosfet 2N7002t:

IRF5305: l'IRF5305 è un MOSFET N-Canale con una corrente di drenaggio massima di 31A e una tensione massima di drenaggio di 55 V. Ha caratteristiche elettriche simili al 2N7002T e può essere utilizzato come sostituzione in molte applicazioni di commutazione a bassa potenza.

BS170: il BS170 è un altro MOSFET a canale N con una corrente di drenaggio massima di 0,5a e una tensione massima di drenaggio di 60 V. È comunemente usato nei circuiti di commutazione a bassa potenza e può essere utilizzato in sostituzione del 2N7002T in alcune applicazioni.

BSS138: il BSS138 è un MOSFET a canale N con una corrente di scarico massima di 0,17a e una tensione massima di drenaggio di 50 V. Viene spesso utilizzato in applicazioni di commutazione a bassa potenza e può essere considerato come una sostituzione per il 2N7002T in circuiti adatti.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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