2N7002W Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

2N7002W Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Diodes Incorporated	2N7002W	68Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 4P-1
ON Semiconductor	2N7002W	71Kb/5P	Small Signal MOSFET April, 2015 ??Rev. 6
Diodes Incorporated	2N7002W	81Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 9 - 2
Diodes Incorporated	2N7002W	127Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 14 - 2
ON Semiconductor	2N7002W	107Kb/5P	Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?묬hannel, SC??0 April, 2007 ??Rev. 2
Fairchild Semiconductor	2N7002W	266Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002W	332Kb/3P	Small Signal MOSFET
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002W	112Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Micro Commercial Compon...	2N7002W	94Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pan Jit International I...	2N7002W	161Kb/5P	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002W	158Kb/3P	300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002W	187Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Unisonic Technologies	2N7002W	158Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002W	216Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
TECH PUBLIC Electronics...	2N7002W	1Mb/5P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Formosa MS	2N7002W	121Kb/9P	SMD MOSFET
Yangzhou yangjie electr...	2N7002W	624Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Micro Commercial Compon...	2N7002W	196Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Weitron Technology	2N7002W	104Kb/4P	N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor	2N7002W	297Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Breve descrizione di 2N7002W

Il 2N7002W è un modello specifico di un MOSFET a canale N (transistor ad effetto campo-semiconduttore metallico). I MOSFET sono ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per la loro capacità di controllare e amplificare i segnali elettronici. Il 2N7002W è progettato per applicazioni a bassa potenza ed è comunemente utilizzato per scopi di commutazione e amplificazione.

Ecco alcune specifiche chiave del MOSFET 2N7002W:

Tipo di transistor: MOSFET N-Canale
Tensione massima di drenaggio (VDS): 60V
Tensione massima di gate-source (VGS): ± 20V
Corrente di scarico continuo massimo (ID): 115MA
Dissipazione massima di potenza (PD): 360MW
Tensione di soglia (VTH): in genere circa 1,5 V.
Su resistenza (RDS (ON)): in genere circa 5Ω a VGS = 4,5 V

Il MOSFET da 2N7002W è comunemente utilizzato per applicazioni di commutazione a bassa tensione. Offre una tensione a bassa soglia, il che significa che può essere facilmente controllato da segnali a bassa tensione. La resistenza di resistenza è relativamente bassa, consentendo operazioni di commutazione efficienti.

La W nel nome del modello indica in genere che il MOSFET è progettato per la tecnologia a montaggio superficiale (SMT) e si presenta in un piccolo pacchetto di contorni (SOT-323 o simile).

Equivalente per 2N7002W

Il 2N7002W è un tipo specifico di MOSFET a canale N (transistor ad effetto campo-semiconduttore metallico) comunemente usato nelle applicazioni di commutazione a bassa potenza. Sebbene una sostituzione esatta con lo stesso numero di parte potrebbe non essere prontamente disponibile, ci sono opzioni alternative che possono essere considerate. Ecco alcuni potenziali sostituti per il MOSFET 2N7002W:

BS170: il BS170 è un MOSFET N-Canale con una corrente di scarico massima di 500 mA e una tensione massima di drenaggio di 60 V. Ha caratteristiche elettriche simili al 2N7002W e può essere utilizzato come sostituzione in molte applicazioni di commutazione a bassa potenza.

BSS138: il BSS138 è un altro MOSFET a canale N con una corrente di drenaggio massima di 200 mA e una tensione massima di drenaggio di 50 V. È comunemente usato in applicazioni a bassa potenza e può essere considerato come sostituto per il 2N7002W in alcuni circuiti.

IRF5305: l'IRF5305 è un MOSFET di potenza con una corrente di scarico massima di 31A e una tensione massima di drenaggio di 55 V. Sebbene abbia capacità di gestione della corrente più elevata e una valutazione di tensione più elevata, può comunque essere utilizzato in sostituzione del 2N7002W a seconda dei requisiti specifici del circuito.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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