2SA812 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

2SA812 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NEC	2SA812	241Kb/4P	AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
Renesas Technology Corp	2SA812	333Kb/6P	SILICON TRANSISTOR 1984
TRANSYS Electronics Lim...	2SA812	69Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Goodwork Semiconductor ...	2SA812	526Kb/3P	Plastic-Encap sulate Transistors
Nanjing International G...	2SA812	1Mb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Dc Components	2SA812	228Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Weitron Technology	2SA812	211Kb/3P	PNP General Purpose Transistors
Rectron Semiconductor	2SA812	294Kb/2P	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)
Jinan Jing Heng Electro...	2SA812	1Mb/5P	PNP Plastic-Encapsulate Transistors
Guilin Strong Micro-Ele...	2SA812	221Kb/2P	PNP General Purpose Transistor
GUANGDONG HOTTECH INDUS...	2SA812	306Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Galaxy Semi-Conductor H...	2SA812	219Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Foshan Blue Rocket Elec...	2SA812	626Kb/6P	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package
Jiangsu Changjiang Elec...	2SA812	844Kb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Galaxy Semi-Conductor H...	2SA812	175Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor Rev.A
SHENZHEN SLS TECHNOLOGY...	2SA812	723Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Shenzhen Luguang Electr...	2SA812	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SA812	443Kb/3P	PNP Silicon Epitaxial Transistor
SHIKUES Electronics	2SA812	2Mb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SA812	136Kb/1P	TRANSISTOR (PNP)

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Breve descrizione di 2SA812

Il 2SA812 è un modello specifico di un transistor PNP. I transistor sono dispositivi a semiconduttore utilizzati per l'amplificazione e la commutazione di segnali elettronici. Il transistor 2SA812 è progettato per applicazioni per scopi generali.

Ecco alcune specifiche chiave del transistor PNP 2SA812:

Tipo di transistor: PNP
Tensione massima del collettore -base (VCBO): -35V
Tensione massima del collettore -emettitore (VCEO): -35V
Tensione massima emettitore -base (VEBO): -5V
Corrente massima del collettore (IC): -50ma
DC Current Gain (HFE): in genere vanno da 60 a 400
Dissipazione di potenza (PD): 150MW

Il transistor 2SA812 è comunemente usato in applicazioni a bassa potenza in cui sono presenti requisiti di tensione e corrente moderata. Può essere utilizzato in vari circuiti come amplificatori di piccoli segni, amplificatori audio e altre applicazioni per scopi generali.

Equivalente per 2SA812

Il 2SA812 è un tipo specifico di transistor per giunzione bipolare PNP (BJT) comunemente utilizzato nell'amplificatore audio e nelle applicazioni di commutazione a bassa potenza. Sebbene una sostituzione esatta con lo stesso numero di parte potrebbe non essere prontamente disponibile, ci sono opzioni alternative che possono essere considerate. Ecco alcuni potenziali sostituti per il transistor 2SA812:

BC557: BC557 è un transistor PNP con una corrente di collettore massima di 100 mA e una tensione massima del collettore-emettitore di 45 V. Ha caratteristiche elettriche simili al 2SA812 e può essere utilizzato come sostituzione in molte applicazioni a bassa potenza.

2N3906: il 2N3906 è un altro transistor PNP con una corrente di collettore massima di 200 mA e una tensione massima del collettore-emettitore di 40 V. È comunemente usato nell'amplificazione audio e nei circuiti di commutazione e può essere considerato in sostituzione del 2SA812 in alcune applicazioni.

MPSA92: MPSA92 è un transistor PNP ad alta tensione con una corrente di collettore massima di 500 mA e una tensione massima di emettitore da collezione di 300 V. Mentre ha valutazioni di corrente e tensione più elevate rispetto al 2SA812, può ancora essere utilizzato come sostituzione a seconda dei requisiti specifici del circuito.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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