2SC3356 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

2SC3356 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NEC	2SC3356	102Kb/8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)
Renesas Technology Corp	2SC3356	200Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
Renesas Technology Corp	2SC3356	189Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC3356	251Kb/3P	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	2SC3356	430Kb/3P	High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon
Unisonic Technologies	2SC3356	197Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	1Mb/4P	NPN Transistors Rev:2022A2
Unisonic Technologies	2SC3356	211Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
Jinan Jing Heng Electro...	2SC3356	634Kb/4P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Yea Shin Technology Co....	2SC3356	860Kb/4P	Low Noise and High Gain
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	54Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Guilin Strong Micro-Ele...	2SC3356	282Kb/3P	SOT-23
California Eastern Labs	2SC3356	1Mb/9P	NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
Unisonic Technologies	2SC3356	105Kb/3P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC3356	128Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC3356	166Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC3356	614Kb/6P	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
Shenzhen Luguang Electr...	2SC3356	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SC3356	485Kb/4P	NPN Transistors
SHIKUES Electronics	2SC3356	1Mb/5P	NPN Silicon RF Transistor

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Breve descrizione di 2SC3356

Il 2SC3356 è una designazione in parte utilizzata per un transistor di giunzione bipolare NPN (BJT). È un piccolo transistor di segnale comunemente usato nelle applicazioni di amplificazione e commutazione a bassa potenza.

Ecco alcune specifiche generali per il transistor 2SC3356:

Tensione massima della base del collettore (VCBO): in genere circa 25 volt
Tensione massima del collettore-emettitore (VCEO): in genere circa 20 volt
Tensione massima emettitore-base (VEBO): in genere circa 4 volt
Corrente del collettore massimo (IC): in genere circa 50 Ma
Dissipazione massima di potenza (PD): in genere circa 150 MW
Tipo di pacchetto: in genere SOT-23 (un piccolo pacchetto di contorno transistor a supporto superficiale)
Il transistor 2SC3356 è comunemente utilizzato in applicazioni come amplificatori audio, circuiti di commutazione e circuiti generali a bassa potenza.

Equivalente per 2SC3356

Una sostituzione adeguata per il transistor 2SC3356 è il 2SC3355. Il 2SC3355 è un transistor NPN complementare che condivide caratteristiche elettriche simili e tipo di pacchetto con 2SC3356.

Ecco alcune somiglianze chiave tra i transistor 2SC3356 e 2SC3355:

Tipo di transistor: entrambi i transistor 2SC3356 e 2SC3355 sono transistor di giunzione bipolare NPN (BJTS).

Valutazioni di tensione e corrente: le valutazioni di tensione e corrente dei transistor 2SC3356 e 2SC3355 sono comparabili. Entrambi i transistor hanno valutazioni simili al collettore massimo (IC) e valutazioni di tensione del collettore massimo (VCEO).

Tipo di pacchetto: i transistor 2SC3356 e 2SC3355 sono in genere disponibili nello stesso tipo di pacchetto, come TO-92 o SOT-23. Questi pacchetti sono comuni e adatti per applicazioni per uso generale.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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