BD136 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

BD136 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
STMicroelectronics	BD136	148Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
NXP Semiconductors	BD136	44Kb/8P	PNP power transistors 1999 Apr 12
STMicroelectronics	BD136	44Kb/4P	PNP SILICON TRANSISTORS Jun-1997
ON Semiconductor	BD136	315Kb/5P	PNP Epitaxial Silicon Transistor November, 2019 ??Rev. 1
STMicroelectronics	BD136	158Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
STMicroelectronics	BD136	76Kb/4P	PNP SILICON TRANSISTORS Nov-2001
ON Semiconductor	BD136	42Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor April, 2005 ??Rev. 12
STMicroelectronics	BD136	157Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
TRANSYS Electronics Lim...	BD136	57Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	BD136	53Kb/2P	PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
Savantic, Inc.	BD136	111Kb/3P	Silicon PNP Power Transistors
Unisonic Technologies	BD136	88Kb/2P	PNP SILICON TRANSISTOR
KEC(Korea Electronics)	BD136	69Kb/1P	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Inchange Semiconductor ...	BD136	133Kb/3P	Silicon PNP Power Transistors
Comset Semiconductor	BD136	74Kb/3P	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS.
Fairchild Semiconductor	BD136	47Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Shanghai Shunye Electro...	BD136	194Kb/2P	PNP General Purpose Transistor V2.22
Fairchild Semiconductor	BD136	41Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Fairchild Semiconductor	BD136	47Kb/4P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Savantic, Inc.	BD136	112Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors

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Breve descrizione di BD136

Il BD136 è una designazione in parte utilizzata per un transistor di giunzione bipolare NPN (BJT). È un transistor per uso generale comunemente usato nelle applicazioni di amplificazione e commutazione a bassa potenza.

Ecco alcune specifiche generali per il transistor BD136:

Tensione massima della base del collettore (VCBO): in genere circa 45 volt
Tensione massima del collettore-emettitore (VCEO): in genere circa 45 volt
Tensione massima emettitore-base (VEBO): in genere circa 5 volt
Corrente massima del collettore (IC): in genere circa 1,5 ampere
Dissipazione massima di potenza (PD): in genere circa 12,5 watt
Tipo di pacchetto: in genere fino a 126 (un pacchetto a foro attraverso il buco) ampiamente utilizzato)
Il transistor BD136 è comunemente usato in applicazioni come amplificatori audio, circuiti di commutazione e applicazioni a bassa potenza per scopi generali.

Equivalente per BD136

Una sostituzione adeguata per il transistor BD136 è la TIP31. TIP31 è un transistor NPN complementare che può servire da sostituto del BD136 in molte applicazioni.

Ecco alcune somiglianze chiave tra i transistor BD136 e TIP31:

Tipo di transistor: entrambi i transistor BD136 e TIP31 sono transistor di giunzione bipolare NPN (BJTS).

Valutazioni di tensione e corrente: le valutazioni di tensione e corrente del BD136 e TIP31 sono comparabili. Entrambi i transistor hanno valutazioni simili al collettore massimo (IC) e valutazioni di tensione del collettore massimo (VCEO).

Tipo di pacchetto: i transistor BD136 e TIP31 sono in genere disponibili nello stesso tipo di pacchetto, come TO-220 o TO-126. Questi pacchetti sono comunemente usati e forniscono una buona dissipazione del calore.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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