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Produttore elettronici

BD139 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
STMicroelectronics	BD139	148Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
NXP Semiconductors	BD139	44Kb/8P	NPN power transistors 1999 Apr 12
STMicroelectronics	BD139	33Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTORS May-1999
STMicroelectronics	BD139	158Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
ON Semiconductor	BD139	248Kb/7P	NPN Epitaxial Silicon Transistor August 2013 Rev. 1.2.0
STMicroelectronics	BD139	76Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTORS Sep-2001
ON Semiconductor	BD139	42Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor April, 2005 ??Rev. 12
STMicroelectronics	BD139	157Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
Unisonic Technologies	BD139	84Kb/2P	NPN POWER TRANSISTORS
Unisonic Technologies	BD139	105Kb/3P	NPN POWER TRANSISTORS
KEC(Korea Electronics)	BD139	36Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Micro Commercial Compon...	BD139	357Kb/3P	Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts
Inchange Semiconductor ...	BD139	131Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Tiger Electronic Co.,Lt...	BD139	59Kb/1P	Complementary Silicon Power Ttransistors
Motorola, Inc	BD139	100Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
Comset Semiconductor	BD139	73Kb/3P	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS
Fairchild Semiconductor	BD139	41Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Siemens Semiconductor G...	BD139	185Kb/5P	NPN SILICON TRANSISTORS
Savantic, Inc.	BD139	111Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Continental Device Indi...	BD139	252Kb/4P	NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

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Breve descrizione di BD139

Il BD139 è un transistor di giunzione bipolare NPN ampiamente utilizzata (BJT) noto per il suo utilizzo in applicazioni di amplificazione e commutazione a bassa e media potenza. Fa parte della serie di transistor BD13X, progettati per uso generale. Ecco alcune caratteristiche chiave e specifiche del transistor BD139:

Polarità: NPN (negativo-positivo-negativo).

Il BD139 ha uno strato di tipo N nel mezzo, inserito tra strati di tipo P all'esterno.
Corrente del collettore massimo (IC): in genere circa 1.5a.

Questa è la corrente massima che può fluire dal collettore all'emettitore quando il transistor è nello stato su.
Tensione massima della base del collettore (VCBO): in genere circa 80 V.

Questa è la massima tensione che può essere applicata tra il collettore e i terminali di base mantenendo aperta il terminale dell'emettitore.
Tensione massima del collettore-emettitore (VCEO): in genere circa 80 V.

Questa è la massima tensione che può essere applicata tra il collettore e i terminali dell'emettitore mentre la base è aperta.
Guadagno (HFE o beta): in genere da 25 a 75.

Il guadagno, indicato come HFE o beta, rappresenta la capacità di amplificazione del transistor. Mostra quanto viene amplificata la corrente del collettore rispetto alla corrente di base.
Pacchetto: il BD139 è comunemente disponibile nei pacchetti fino a 126 o-126-3, adatti a transistor a media potenza.

Applicazioni: il transistor BD139 viene utilizzato in vari applicazioni di amplificazione e commutazione a bassa a media potenza, come amplificatori audio, amplificazione del segnale, amplificatori di tensione e circuiti elettronici per scopi generali.

Coppia complementare: il BD139 viene spesso utilizzato in combinazione con il suo transistor PNP complementare, come il BD140, per formare un amplificatore push-pull o una coppia di commutazione per applicazioni che richiedono un flusso di corrente bidirezionale.

Equivalente per BD139

Il BD139 è un transistor NPN di media potenza comunemente utilizzato nelle applicazioni di amplificazione e commutazione audio, con una corrente massima di collettore di 1,5 A e una tensione collettore-emettitore di 80 V. Diversi transistor possono fungere da sostituti, offrendo caratteristiche elettriche e funzionalità simili:

BD169:

Transistor NPN con valori nominali di tensione e corrente comparabili.
Adatto per amplificazioni generiche e applicazioni di commutazione.
BD230:

Transistore NPN con una corrente massima di collettore di 2 A e una tensione collettore-emettitore di 100 V.
Fornisce una maggiore capacità di gestione della corrente, rendendolo adatto ad applicazioni leggermente più impegnative.
MJE244:

Transistor di potenza NPN con una corrente massima di collettore di 3 A e una tensione collettore-emettitore di 100 V.
Offre valori nominali di corrente e tensione più elevati, adatti per le applicazioni più impegnative.
CONSIGLIO31C:

Transistore NPN con una corrente massima di collettore di 3 A e una tensione collettore-emettitore di 100 V.
Comunemente utilizzato nei circuiti amplificatori e nelle applicazioni di commutazione generiche.
BCP56 (SOT-223):

Versione SMD del transistor BD139.
Progettato per il montaggio su superficie, offre parametri e funzionalità simili.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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