BSS84 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

BSS84 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NXP Semiconductors	BSS84	89Kb/12P	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 1997 Jun 18
Taiwan Semiconductor Co...	BSS84	397Kb/6P	P-Channel Power MOSFET Version: A2007
ON Semiconductor	BSS84	196Kb/7P	P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor October, 2021 ??Rev. 5
Diodes Incorporated	BSS84	289Kb/6P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 22
	BSS84	48Kb/2P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30149 Rev. 5 - 2
	BSS84	106Kb/4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 14 - 2 February 2010
NXP Semiconductors	BSS84	70Kb/11P	P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor Rev. 06-16 December 2008
Diodes Incorporated	BSS84	103Kb/3P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30149 Rev. 11 - 2
Pan Jit International I...	BSS84	139Kb/4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Weitron Technology	BSS84	127Kb/4P	Small Signal MOSFET P-Channel
Fairchild Semiconductor	BSS84	285Kb/10P	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Guilin Strong Micro-Ele...	BSS84	303Kb/3P	SOT-23 Field Effect Transistors
Fairchild Semiconductor	BSS84	247Kb/6P	P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Nanjing International G...	BSS84	792Kb/5P	Energy Efficient
Bruckewell Technology L...	BSS84	328Kb/4P	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
ZP Semiconductor	BSS84	372Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Shanghai Shunye Electro...	BSS84	1Mb/3P	MOSFET(P-Channel) V2.22
Siemens Semiconductor G...	BSS84	73Kb/7P	SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Chino-Excel Technology	BSS84	468Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Micro Commercial Compon...	BSS84	807Kb/4P	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Breve descrizione di BSS84

La BSS84 è una designazione in parte utilizzata per un MOSFET a canale N a piccole segnali (transistor ad effetto di campo-ossido-semiconduttore metallico). I MOSFET sono comunemente usati come interruttori o amplificatori in varie applicazioni elettroniche.

Ecco alcune specifiche generali per il MOSFET BSS84:

Tensione massima di drenaggio (VDS): in genere circa 50 volt
Corrente di scarico massima (ID): in genere circa 130 milliamperes
Tensione massima di gate-source (VGS): in genere circa ± 20 volt
Tensione di soglia (VGS (TH)): in genere circa 0,7 a 3,0 volt
Drain-Source On Resistance (RDS (ON)): in genere circa 10 ohm
Tipo di pacchetto: in genere SOT-23 (un piccolo pacchetto di montaggio superficiale)
Il MOSFET BSS84 è comunemente usato in applicazioni di commutazione a bassa potenza, come nell'elettronica portatile, amplificatori di piccoli segni e circuiti per scopi generali.

Equivalente per BSS84

Una sostituzione adeguata per il transistor MOSFET P-Canale BSS84 è il BSP84.

Il BSP84 è anche un transistor MOSFET a canale P con caratteristiche simili e può essere usato come sostituto del BSS84. È comunemente usato in applicazioni di commutazione a bassa potenza e amplificazione nei circuiti elettronici.

Ecco alcune somiglianze chiave tra i transistor BSS84 e BSP84:

Tensione di drenaggio (VDS): il BSP84 ha in genere un punteggio di tensione di drenaggio massimo simile a BSS84.

Corrente di drenaggio continuo (ID): il BSP84 ha in genere una valutazione di corrente continua massima comparabile come BSS84.

Dissipazione totale di potenza (PD): la capacità di dissipazione della potenza del BSP84 è generalmente simile a quella del BSS84.

Tensione di soglia di gate-source (VGS (TH)): la tensione di soglia della source gate del BSP84 è in genere all'interno di un intervallo simile al BSS84.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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