IRF3710 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

IRF3710 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
International Rectifier	IRF3710	94Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
Nell Semiconductor Co.,...	IRF3710	346Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710	715Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF3710	65Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
First Silicon Co., Ltd	IRF3710	280Kb/2P	N -Channel Power MOSFET (100V/59A)
International Rectifier	IRF3710L	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710L	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710LPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
International Rectifier	IRF3710PBF	185Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRF3710PBF	1Mb/7P	57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
International Rectifier	IRF3710PBF	224Kb/8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF3710S	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710S	189Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710SPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	309Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRLPBF	297Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRRPBF	297Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF3710Z	270Kb/12P	AUTOMOTIVE MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710Z	4Mb/12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF3710Z	339Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

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Breve descrizione di IRF3710

L'IRF3710 è un MOSFET di potenza a canale N ad alte prestazioni progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità e controllo di potenza nell'elettronica di consumo e industriale. Prodotto da International Rectifier (ora parte di Infineon Technologies), l'IRF3710 è comunemente utilizzato in azionamenti motore, convertitori CC-CC, alimentatori, inverter e altri sistemi di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Questo dispositivo è classificato per una tensione drain-source (VDS) di 100 V e può gestire fino a 57 A di corrente di drain continua con un'adeguata dissipazione del calore. Presenta una bassissima resistenza di conduzione (RDS(on)) di circa 0,02 ohm, che riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza complessiva nelle applicazioni di commutazione. La sua elevata velocità di commutazione e la bassa carica di gate lo rendono ideale per la conversione di potenza ad alta frequenza e il controllo PWM.

Racchiuso in un contenitore standard TO-220, l'IRF3710 offre eccellenti prestazioni termiche ed è facile da integrare in progetti PCB through-hole. Richiede una tensione di pilotaggio del gate di circa 10 V per il potenziamento completo, rendendolo compatibile con la maggior parte dei circuiti integrati di pilotaggio MOSFET e dei circuiti di controllo a livello logico (con un'interfaccia appropriata).

Nel complesso, l'IRF3710 è un MOSFET a canale N robusto, efficiente e ampiamente utilizzato, che fornisce una soluzione affidabile per applicazioni di commutazione di media e alta potenza, dove basse perdite e funzionamento rapido sono fondamentali.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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