IRF520 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

IRF520 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
STMicroelectronics	IRF520	181Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS Jun-1993
Vishay Siliconix	IRF520	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF520	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF520	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Intersil Corporation	IRF520	69Kb/7P	9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF520	798Kb/3P	IRF120-123/IRF520-523 MTP10N08/10N10 N-Channel Power MOSFETs
	IRF520	798Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
	IRF520	798Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Fairchild Semiconductor	IRF520	166Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF520	338Kb/5P	N-Channel Power Mosfets,
Supertex, Inc	IRF520	74Kb/2P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs
SYC Electronica	IRF520	221Kb/8P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier	IRF520	183Kb/6P	HEXFET® Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF520	393Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRF520	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF520A	243Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF520A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
STMicroelectronics	IRF520FI	181Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS Jun-1993
Inchange Semiconductor ...	IRF520FI	393Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF520L	185Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

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Breve descrizione di IRF520

L'IRF520 è un MOSFET di potenza a canale N (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) progettato per applicazioni di commutazione e amplificazione di media potenza. Prodotto da International Rectifier e ampiamente disponibile presso diversi fornitori, l'IRF520 è comunemente utilizzato nel controllo di motori a corrente continua (DC), nell'illuminazione a LED, nel pilotaggio di relè e nei circuiti di alimentazione.

L'IRF520 può gestire una tensione drain-source (V_DS) fino a 100 V e una corrente di drain continua (I_D) fino a 9,2 A (con un'adeguata dissipazione del calore). Presenta una R_DS(on) tipica di circa 0,27 ohm, che gli consente di condurre corrente in modo efficiente quando è completamente acceso. Racchiuso in un contenitore standard TO-220, è facile da montare e raffreddare, il che lo rende adatto a un'ampia gamma di applicazioni through-hole.

Sebbene comunemente utilizzato in progetti hobbistici, in particolare tramite le schede breakout IRF520, è importante notare che l'IRF520 non è un MOSFET a livello logico, il che significa che potrebbe non attivarsi completamente con un segnale logico a 5 V proveniente da un Arduino o da un altro microcontrollore senza perdite di prestazioni. Per applicazioni che richiedono elevata efficienza a basse tensioni di gate, un MOSFET a livello logico come l'IRLZ44N è spesso una scelta migliore.

Nel complesso, l'IRF520 è un transistor di potenza ampiamente utilizzato e affidabile per la commutazione e il controllo di potenza in applicazioni a tensione e corrente moderate, in particolare nell'elettronica didattica e hobbistica.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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