IRF540 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

IRF540 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NXP Semiconductors	IRF540	86Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF540	53Kb/6P	N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET Apr-1998
STMicroelectronics	IRF540	311Kb/8P	N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET Feb-2003
Vishay Siliconix	IRF540	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF540	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF540	156Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF540	146Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
International Rectifier	IRF540	177Kb/6P	HEXFET POWER MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540	6Mb/7P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF540	338Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	984Kb/3P	25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	103Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
First Silicon Co., Ltd	IRF540	1Mb/4P	N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
SYC Electronica	IRF540	259Kb/7P	N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540	308Kb/2P	N-Channel Power MOSFET
Nanjing International G...	IRF540	2Mb/7P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	IRF540	1Mb/5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
List of Unclassifed Man...	IRF540	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF540A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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Breve descrizione di IRF540

L'IRF540 è un popolare MOSFET di potenza (transistor ad effetto di campo-semiconduttore metallico) utilizzato nei circuiti elettronici per applicazioni di commutazione e amplificazione ad alta potenza. Fa parte della serie IRF di MOSFET di potenza ed è noto per la sua capacità di gestire correnti e tensioni relativamente elevate. Ecco alcune caratteristiche chiave e specifiche del MOSFET IRF540:

Polarità: N-channel.

L'IRF540 è un MOSFET a canale N, il che significa che utilizza il flusso di elettroni per cambiare e controllare la corrente elettrica.
Tensione di drenaggio (VDS): tipicamente classificata a 100 V.

La massima tensione che può essere applicata tra i terminali di scarico e sorgente quando il MOSFET è nello stato di OFF.
Corrente di drenaggio continuo (ID): tipicamente classificata a 33A.

La corrente massima che il MOSFET può gestire continuamente nello stato On.
Su resistenza (RDS (ON): tipicamente basso, spesso nell'intervallo milliohm.

La resistenza tra i terminali di scarico e sorgente quando il MOSFET è completamente acceso.
Tensione di soglia del gate (VGS (TH)): in genere da 2v a 4 V.

La tensione richiesta per accendere il MOSFET.
Tensione di gate-source (VGS): solitamente valutato fino a ± 20 V.

La tensione massima che può essere applicata tra il gate e i terminali di origine.
Pacchetto: l'IRF540 è in genere disponibile nei pacchetti TO-220 o TO-220AB, che forniscono buone prestazioni termiche e facilità di montaggio ai dissipatori di calore per il raffreddamento.

Applicazioni: il MOSFET IRF540 è comunemente utilizzato in applicazioni ad alta potenza, come alimentatori di commutazione, circuiti di controllo del motore, fasi di uscita dell'amplificatore e altre applicazioni che richiedono commutazione ad alta corrente.

Dissipazione del calore: l'IRF540 può generare calore durante il funzionamento, quindi può essere necessaria un'adeguata gestione termica, incluso il calore, per le applicazioni ad alta potenza.

Valutazione energetica valanga: l'IRF540 ha una valutazione energetica valanga, che specifica la quantità di energia che il MOSFET può assorbire in modo sicuro durante i picchi di tensione transitoria.

Equivalente per IRF540

L'IRF540 è un MOSFET a canale N comunemente utilizzato per applicazioni di commutazione ad alta corrente, caratterizzato da una tensione drain-source massima di 100 V e una corrente di drain continua di 28 A. Diversi MOSFET offrono caratteristiche simili e possono fungere da sostituti:

IRF540N:

Una versione migliorata dell'IRF540, che offre prestazioni migliorate.
Massima tensione drain-source: 100 V.
Corrente di scarico continua: 33 A.
Resistenza in conduzione inferiore, con conseguente maggiore efficienza.
IRFZ44N:

MOSFET a canale N con valori nominali di tensione e corrente comparabili.
Massima tensione drain-source: 55 V.
Corrente di scarico continua: 49 A.
Tensione nominale inferiore; garantire la compatibilità con la vostra applicazione.
IRLZ44N:

MOSFET a canale N a livello logico adatto per il pilotaggio di gate a bassa tensione.
Massima tensione drain-source: 55 V.
Corrente di scarico continua: 47A.
Ideale per interfacciarsi con microcontrollori.
STP55NF06:

MOSFET a canale N con specifiche simili.
Massima tensione drain-source: 60 V.
Corrente di scarico continua: 50 A.
Adatto per varie applicazioni di commutazione.
BUZ11:

MOSFET a canale N con valori comparabili.
Massima tensione drain-source: 50 V.
Corrente di scarico continua: 30 A.
Comunemente utilizzato nelle applicazioni automobilistiche.
Quando si seleziona un sostituto, considerare i seguenti fattori:

Valori nominali di tensione e corrente: assicurarsi che il MOSFET sostitutivo possa gestire i livelli di tensione e corrente richiesti nel circuito.
Resistenza On (R_DS(on)): una resistenza On inferiore si traduce in una maggiore efficienza e una ridotta generazione di calore.
Tensione di soglia del gate: verificare che la tensione di comando del gate nel progetto sia sufficiente per accendere completamente il MOSFET.
Tipo di pacchetto e configurazione pin: verificare che il pacchetto fisico e la piedinatura siano compatibili con il layout del circuito.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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