IRF540N Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

IRF540N Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Intersil Corporation	IRF540N	126Kb/10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
International Rectifier	IRF540N	99Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540N	734Kb/8P	Advanced Process Technology
Fairchild Semiconductor	IRF540N	138Kb/10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, Power MOSFET
Multicomp Pro	IRF540N	1Mb/5P	N Channel MOSFET 05/08/24 V1.0
Inchange Semiconductor ...	IRF540N	418Kb/3P	isc N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRF540N	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF540NL	125Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
International Rectifier	IRF540NL	274Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540NL	1Mb/10P	Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF540NL	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF540NLPBF	284Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF540NLPBF	284Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF540NLPBF	284Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF540NPBF	149Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
	IRF540NPBF	159Kb/9P	Advanced Process Technology
VBsemi Electronics Co.,...	IRF540NPBF	984Kb/7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRF540NPBF	159Kb/9P	Advanced Process Technology
	IRF540NS	125Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRF540NS	274Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET

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Breve descrizione di IRF540N

L'IRF540N è un popolare MOSFET di potenza a canale N (transistor ad effetto di campo-semiconduttore metallico) noto per il suo utilizzo in una vasta gamma di applicazioni elettroniche, in particolare nei circuiti di commutazione e amplificazione ad alta potenza. Ecco alcune caratteristiche chiave e specifiche del MOSFET IRF540N:

MOSFET N-Canale: l'IRF540N è un MOSFET a canale N, il che significa che conduce corrente quando viene applicata una tensione positiva al terminale di gate rispetto al terminale di origine.

Valutazione della tensione: l'IRF540N ha in genere una valutazione ad alta tensione, spesso da 100 V a 1000 V, a seconda del modello e del produttore specifici.

Valutazione di corrente: è in grado di gestire una corrente di scarico continua relativamente elevata, in genere nell'intervallo da 22a a 33a, a seconda del modello.

Su resistenza (RDS (ON)): la resistenza on, spesso indicata come RDS (ON), è tipicamente bassa, il che significa che il MOSFET ha una caduta minima di tensione quando si trova nello stato conduttore. Ciò si traduce in un'efficace gestione della potenza.

Tensione di soglia del gate (VGS (TH)): la tensione di soglia del gate è la tensione richiesta per accendere il MOSFET. Per l'IRF540N, questo è in genere da 2v a 4V.

Pacchetto: l'IRF540N è comunemente disponibile nei pacchetti TO-220 o TO-220AB, che forniscono buone prestazioni termiche e facilitano il montaggio dei dissipatori di calore per il raffreddamento.

Applicazioni: l'IRF540N viene utilizzato in varie applicazioni, tra cui amplificatori di alimentazione, controllo del motore, alimentatori di commutazione, unità motore e altri circuiti elettronici ad alta potenza.

Dissipazione del calore: i MOSFET come l'IRF540N possono generare calore durante il funzionamento, specialmente quando si gestiscono correnti elevate, quindi una corretta gestione del calore, compresa il calore, può essere necessario per applicazioni ad alta potenza.

Caratteristiche di protezione: alcune varianti dell'IRF540N possono includere caratteristiche di protezione integrata come la protezione eccessiva e di sovratemperatura.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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