IRF630 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

IRF630 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NXP Semiconductors	IRF630	97Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF630	104Kb/9P	N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET Feb-1999
Vishay Siliconix	IRF630	159Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF630	283Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF630	579Kb/8P	Power MOSFET 21-Mar-11
STMicroelectronics	IRF630	190Kb/6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF630	336Kb/14P	N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET 03-Aug-2006
TRANSYS Electronics Lim...	IRF630	141Kb/1P	Power MOSFET
International Rectifier	IRF630	176Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
Suntac Electronic Corp.	IRF630	137Kb/6P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF630	94Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF630	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF630	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Comset Semiconductor	IRF630	106Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF630	5Mb/8P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF630	620Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF630	854Kb/2P	FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
Intersil Corporation	IRF630	62Kb/7P	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs June 1999

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Breve descrizione di IRF630

L'IRF630 è un MOSFET di potenza a canale N progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificazione a media tensione, inclusi alimentatori, driver per motori, convertitori CC-CC e amplificatori audio. Prodotto da International Rectifier (ora parte di Infineon Technologies) e da altri fornitori, l'IRF630 è apprezzato per la sua affidabilità, la discreta velocità di commutazione e la versatilità nelle prestazioni, sia nell'elettronica industriale che in quella di consumo.

Questo MOSFET è classificato per una tensione drain-source (VDS) di 200 V e può gestire correnti di drain continue fino a 9 A, a condizione che vi sia un'adeguata dissipazione del calore. Presenta una resistenza di conduzione (RDS(on)) tipica di circa 0,4 ohm, che contribuisce a ridurre la perdita di potenza e il calore nelle applicazioni di commutazione. Grazie ai rapidi tempi di commutazione e alla carica di gate relativamente bassa, l'IRF630 è adatto per circuiti a velocità moderatamente elevata in cui è richiesto un controllo efficiente della potenza.

Racchiuso nel popolare contenitore TO-220, l'IRF630 offre ottime prestazioni termiche ed è facile da installare sui dissipatori di calore, rendendolo adatto a progetti in cui è necessario gestire una dissipazione di potenza moderata. Sebbene non sia un MOSFET a livello logico, funziona bene in circuiti in cui è disponibile una tensione di pilotaggio del gate più elevata (tipicamente intorno ai 10 V).

Nel complesso, l'IRF630 è un MOSFET a canale N versatile e ampiamente utilizzato che fornisce una soluzione affidabile ed economica per applicazioni di commutazione a media tensione e media corrente in una varietà di applicazioni elettroniche.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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