IRF730 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

IRF730 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NXP Semiconductors	IRF730	59Kb/7P	PowerMOS transistor Avalanche energy rated March 1999 Rev 1.000
STMicroelectronics	IRF730	94Kb/8P	N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Vishay Siliconix	IRF730	134Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF730	277Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF730	156Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF730	177Kb/6P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
Fairchild Semiconductor	IRF730	898Kb/10P	400V N-Channel MOSFET
Intersil Corporation	IRF730	54Kb/7P	5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
International Rectifier	IRF730	102Kb/8P	SMPS MOSFET
Suntac Electronic Corp.	IRF730	79Kb/3P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF730	95Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF730	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF730	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Nell Semiconductor Co.,...	IRF730	341Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF730	848Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V
First Components Intern...	IRF730	100Kb/3P	6.0A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF730	355Kb/16P	High Power Factor/Low THD
First Silicon Co., Ltd	IRF730	365Kb/6P	6.0A, 400V, 1.0廓 N-CHANNEL POWER MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF730	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF7301	113Kb/9P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)

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Breve descrizione di IRF730

L'IRF730 è un MOSFET di potenza (transistor ad effetto di campo-semiconduttore metallico) progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. È prodotto da vari produttori di semiconduttori, tra cui tecnologie infine, su semiconduttori e altri. Ecco alcune caratteristiche chiave e specifiche dell'IRF730:

Tipo di MOSFET: l'IRF730 è un MOSFET in modalità miglioramento N-Canale. In un MOSFET in modalità miglioramento, il dispositivo conduce quando viene applicata una tensione al terminale del gate, a differenza dei MOSFET in modalità di esaurimento, che conducono per impostazione predefinita fino a quando non viene applicata una tensione al gate per spegnerli.

Valutazioni di tensione e corrente: l'IRF730 opera in genere con una valutazione della tensione della sorgente di drenaggio (VD) di circa 400 volt e una valutazione della corrente di scarico continua (ID) di diverse ampere, rendendolo adatto per applicazioni a media potenza.

Resistenza a bassa resistenza: l'IRF730 presenta una bassa resistenza (RDS (ON)), che si traduce in perdite di conduzione ridotte quando il MOSFET è completamente acceso. Questa caratteristica è essenziale per efficienti applicazioni di conversione di potenza e commutazione.

Switching ad alta velocità: con la sua bassa carica di gate e capacità intrinseche, l'IRF730 è in grado di commutazione ad alta velocità, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono frequenze di commutazione rapida, come alimentatori, unità motore e inverter.

Pacchetto TO-220: l'IRF730 è comunemente disponibile in un pacchetto TO-220, che offre buone prestazioni termiche e facilità di montaggio su un dissipatore di calore per la dissipazione del calore in applicazioni ad alta potenza.

Applicazione: l'IRF730 è comunemente utilizzato in vari circuiti e applicazioni elettroniche, tra cui regolatori di commutazione, convertitori DC-DC, circuiti di controllo del motore, amplificatori di alimentazione e relè elettronici.

Tensione di soglia della sorgente gate (VGS (TH)): la tensione di soglia della source gate specifica la tensione minima richiesta tra il gate e i terminali di sorgente per accendere il MOSFET. Questo parametro varia tra i singoli dispositivi e dovrebbe essere considerato nella progettazione di circuiti.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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