IRF9530 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

Motore di ricerca datesheet componenti elettronici

ALLDATASHEETIT.COM

X

Shortcut	IRF9530(57) risultato ricerca.
corrispondente, Like	IRF9530(10) IRF9530N(4) IRF9530S(4)
Comincia con	IRF9530(45) IRF9530-(1) IRF9530N(23) IRF9530P(6) IRF9530S*(7)
Fine	No Data
Include	IRF9530(1)

Produttore elettronici

IRF9530 Scheda tecnica, PDF

ricerca il numero della parte : la somma corrispondente & Comincia con sont "IRF9530" - Total : 56 ( 1/3 Page)

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Samsung semiconductor	IRF9530	508Kb/12P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Samsung semiconductor	IRF9530	378Kb/6P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRF9530	566Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF9530	158Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Intersil Corporation	IRF9530	63Kb/7P	12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
International Rectifier	IRF9530	449Kb/6P	TRANSISTORS
Inchange Semiconductor ...	IRF9530	303Kb/2P	isc P-Channel Mosfet Transistor
SYC Electronica	IRF9530	155Kb/6P	12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Guangdong Kexin Industr...	IRF9530	1Mb/3P	P-Channel MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF9530	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Seme LAB	IRF9530-220M	18Kb/2P	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
International Rectifier	IRF9530N	113Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530N	2Mb/7P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530N	335Kb/2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NL	173Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530NL	1Mb/10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530NL	273Kb/2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NLPBF	758Kb/10P	Advanced Process Technology Surface Mount
	IRF9530NLPBF	767Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF9530NPBF	123Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET

12 3

12 3

Breve descrizione di IRF9530

L'IRF9530 è un MOSFET a canale P, che è un tipo di transistor utilizzato per amplificare o cambiare segnali elettronici. A differenza delle sue controparti N-Canale, la corrente di origine MOSFET a canale P quando la tensione applicata al gate è inferiore alla tensione di origine (tensione negativa della source gate per i dispositivi in modalità di miglioramento). Sono comunemente usati nelle applicazioni in cui la commutazione del carico è controllata dal suolo o dal lato negativo del circuito.

Le caratteristiche chiave dell'IRF9530 includono:

VDSS (tensione di rottura della source drenaggio): questa è la tensione massima che può essere applicata da Drain a Source con il cancello in corto alla sorgente, che per l'IRF9530 è in genere intorno a -100V.

ID (corrente di drenaggio continuo): l'IRF9530 può gestire una quantità significativa di corrente continua, spesso valutata a circa -12a, rendendolo adatto per applicazioni ad alta corrente.

RDS (ON) (drenaggio su resistenza): la resistenza sullo stato tra il drenaggio e la fonte quando il MOSFET è acceso; Per l'IRF9530, questo è relativamente basso, il che aiuta a ridurre le perdite di potenza.

VGS (TH) (Tensione di soglia del gate): la tensione alla quale il MOSFET inizia ad attivare, che per i dispositivi a canale P come l'IRF9530, è una tensione negativa, di solito da -2 V a -4V.

Dissipazione di potenza: la quantità massima di potenza che l'IRF9530 può dissipare è importante per comprendere i limiti termici ed è in genere circa 48 W.

Pacchetto: è disponibile in TO-220 e pacchetti simili che sono comunemente utilizzati per i dispositivi di alimentazione.

Temperatura operativa: l'intervallo di temperatura operativa è un fattore per la stabilità e l'affidabilità e per l'IRF9530, è generalmente tra -55 ° C e +150 ° C.

I MOSFET P-Canale P come l'IRF9530 sono utili nella creazione di circuiti di trasmissione più semplici, in particolare nelle configurazioni di commutazione a lato alto, poiché non richiedono una pompa di carica o altri circuiti di trasmissione complessi per applicare una tensione positiva della fonte di gate. Sono comuni nei circuiti di gestione dell'alimentazione, nei controlli motori e altre applicazioni di cambio di alimentazione.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

Link URL

Lei ha avuto il aiuto da alldatasheet? [ DONATE ]

Di alldatasheet | Richest di pubblicita | contatti | Privacy Policy | Collegamento alla scheda tecnica | scambio Link | Ricerca produttore
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com