IRFP250 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

IRFP250 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
STMicroelectronics	IRFP250	255Kb/8P	N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET Sep-2000
Samsung semiconductor	IRFP250	518Kb/7P	N-Channel Power Mosfets
Vishay Siliconix	IRFP250	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRFP250	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP250	522Kb/10P	Power MOSFET 24-Jan-2021
	IRFP250	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
Fairchild Semiconductor	IRFP250	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFP250	493Kb/8P	N-Channel(Hexfet Transistors)
International Rectifier	IRFP250	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
IXYS Corporation	IRFP250	47Kb/2P	Standard Power MOSFET
IXYS Corporation	IRFP250	49Kb/1P	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
Inchange Semiconductor ...	IRFP250	444Kb/2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
List of Unclassifed Man...	IRFP250	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRFP250A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP250A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250A	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	IRFP250B	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP250B	451Kb/7P	200V N-Channel MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250B	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs

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Breve descrizione di IRFP250

L'IRFP250 è un MOSFET a canale N ad alta potenza progettato per la commutazione e l'amplificazione in applicazioni di elettronica di potenza come inverter, alimentatori, azionamenti motore e amplificatori audio. Originariamente prodotto da International Rectifier (ora parte di Infineon Technologies), l'IRFP250 è apprezzato per la sua elevata capacità di gestione delle tensioni, la robusta capacità di corrente e la bassa resistenza di conduzione, che lo rendono adatto a sistemi di potenza medio-alta.

Questo MOSFET è classificato per una tensione drain-source (VDS) di 200 V e può gestire correnti di drain continue fino a 30 A, con una dissipazione di potenza massima di circa 200 W con dissipatore di calore adeguato. Presenta una RDS(on) relativamente bassa (tipicamente intorno a 0,085 Ω) e una tensione di soglia di gate di 2,0-4,0 V, che gli consentono di funzionare in modo efficiente con i gate driver standard. Sebbene non sia un MOSFET a livello logico, è adatto all'uso con segnali di gate drive da 10 V comunemente utilizzati nei circuiti di commutazione di potenza.

Confezionato in un contenitore TO-247, l'IRFP250 offre eccellenti prestazioni termiche ed è progettato per il montaggio su dissipatori di calore per gestire il calore generato durante le operazioni di commutazione ad alta corrente.

Nel complesso, l'IRFP250 è un MOSFET di potenza robusto e affidabile che offre prestazioni di commutazione efficienti e gestione di correnti elevate per un'ampia gamma di progetti elettronici industriali, automobilistici e ad alta potenza.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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