IRFP250N Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici

IRFP250N Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Infineon Technologies A...	IRFP250N	126Kb/8P	HEXFET® Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250N	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	169Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250N	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	208Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250NPBF	272Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250NPBF	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	333Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

Breve descrizione di IRFP250N

IRFP250N è un MOSFET a canale N di Infineon Technologies, progettato per applicazioni ad alta potenza che richiedono alta efficienza e commutazione rapida.

Caratteristiche principali:
Tipo: MOSFET a canale N.
Tensione Drain-Source (Vds): 200 V.
Corrente di scarico continua (Id): 30 A.
Dissipazione di potenza: 214 W.
Rds(acceso): 0,075 ohm.
Applicazioni comuni:
Alimentatori: utilizzati negli alimentatori switching ad alta tensione.
Azionamenti motore: adatti per azionare motori ad alta potenza.
Amplificatori audio: spesso utilizzati negli stadi di amplificazione audio ad alte prestazioni.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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