IRFZ48N Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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IRFZ48N Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NXP Semiconductors	IRFZ48N	65Kb/8P	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor February 1999 Rev 1.000
International Rectifier	IRFZ48N	102Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFZ48N	121Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Kersemi Electronic Co.,...	IRFZ48N	856Kb/2P	Fast Switching
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	IRFZ48N	443Kb/4P	N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Rev:2023A2
SYC Electronica	IRFZ48N	151Kb/8P	Advanced Process Technology
List of Unclassifed Man...	IRFZ48N	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRFZ48NL	134Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRFZ48NLPBF	297Kb/10P	HEXFET Power MOSFET
	IRFZ48NPBF	181Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
	IRFZ48NPBF	232Kb/8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
VBsemi Electronics Co.,...	IRFZ48NPBF	1Mb/9P	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRFZ48NPBF	232Kb/8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
International Rectifier	IRFZ48NS	134Kb/10P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRFZ48NS	1Mb/10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFZ48NS	263Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFZ48NSPBF	297Kb/10P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRFZ48NSPBF	306Kb/11P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
VBsemi Electronics Co.,...	IRFZ48NSPBF	1Mb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRFZ48NSPBF	306Kb/11P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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Breve descrizione di IRFZ48N

L'IRFZ48N è un tipo di MOSFET di potenza, che sta per transistor Effect Field Effect a semiconduttore di ossido di metallo. I MOSFET come l'IRFZ48N sono comunemente usati nei dispositivi elettronici per la commutazione e l'amplificazione dei segnali. Ecco le spiegazioni dettagliate delle specifiche e delle caratteristiche dell'IRFZ48N:

Tecnologia di processo avanzata: si riferisce al processo di produzione utilizzato per creare il MOSFET, che influisce sulle sue prestazioni, efficienza energetica e affidabilità.

Ultra bassa su resistenza (RDS (ON)): la resistenza è la resistenza tra il drenaggio e la fonte del MOSFET quando è acceso. Un valore inferiore significa meno perdita di potenza e migliore efficienza quando il MOSFET sta conducendo.

Valutazione DV/DT dinamica: questo parametro indica la capacità del MOSFET di gestire le variazioni di tensione elevata nel tempo senza fallire. È fondamentale per le applicazioni che comportano una commutazione rapida.

175 ° C Temperatura di funzionamento: l'IRFZ48N può funzionare a temperature fino a 175 ° C, che è superiore a quella che molti altri MOSFET possono resistere. Questo lo rende adatto per ambienti ad alta temperatura.

Switching rapido: questa funzione è essenziale per le applicazioni di alimentazione in cui il MOSFET deve accendere e disattivare rapidamente per regolare la tensione di uscita in modo efficiente.

Valutata completamente in valanga: essere valutato da valanghe significa che il MOSFET può gestire brevi condizioni di sovratensione oltre le normali condizioni operative senza essere danneggiato.

Pacchetto TO-220: questo è l'imballaggio fisico e il fattore di forma del MOSFET. Il pacchetto TO-220 è ampiamente utilizzato per la sua buona dissipazione del calore e la capacità di gestire correnti più elevate.

L'IRFZ48N è prodotto da vari produttori e viene utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, dagli alimentatori ai controller del motore. La sua capacità di cambiare in modo efficiente correnti e tensioni e la sua solidità in diversi ambienti lo rende una scelta popolare per l'elettronica di potenza.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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