MBR10100CT Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

MBR10100CT Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Diodes Incorporated	MBR10100CT	64Kb/2P	10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DS30028 Rev. A-2
Vishay Siliconix	MBR10100CT	138Kb/5P	Dual Common-Cathode High Voltage Schottky Rectifier 26-Apr-10
Taiwan Semiconductor Co...	MBR10100CT	201Kb/4P	Dual Common Cathode Schottky Rectifier
Vishay Siliconix	MBR10100CT	78Kb/3P	Dual High-Voltage Schottky Rectifiers 24-Apr-03
Diodes Incorporated	MBR10100CT	325Kb/5P	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Rev 8
Diodes Incorporated	MBR10100CT	73Kb/2P	10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DS30028 Rev. 2 - 2
Taiwan Semiconductor Co...	MBR10100CT	99Kb/2P	10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
	MBR10100CT	169Kb/2P	10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
	MBR10100CT	96Kb/2P	10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
	MBR10100CT	196Kb/2P	10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
Vishay Siliconix	MBR10100CT	138Kb/4P	Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier 07-May-08
Vishay Siliconix	MBR10100CT	134Kb/5P	Dual Common-Cathode High Voltage Schottky Rectifier 26-Apr-10
GOOD-ARK Electronics	MBR10100CT	195Kb/2P	Dual High-Voltage Schottky Barrier Rectifiers
Mospec Semiconductor	MBR10100CT	199Kb/2P	Schottky Barrier Rectifiers
Compact Technology Corp...	MBR10100CT	117Kb/2P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
Sirectifier Global Corp...	MBR10100CT	86Kb/4P	Schottky Barrier Diode
Sirectifier Global Corp...	MBR10100CT	123Kb/2P	Power Schottky Rectifier - 10Amp 100Volt
Inchange Semiconductor ...	MBR10100CT	337Kb/2P	Schotty Barrier Diode
Pan Jit International I...	MBR10100CT	89Kb/2P	10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
KEC(Korea Electronics)	MBR10100CT	441Kb/2P	SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

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Breve descrizione di MBR10100CT

MBR10100CT è un altro modello di diodo Schottky della stessa serie. Condivide molte somiglianze con MBR10150CT ma ha una diversa valutazione massima di tensione inversa. Ecco le specifiche chiave di MBR10100CT:

Corrente massima continua in avanti (if): 10a
Picco di aumento della corrente di aumento (IFSM): 100a (impulso da 8,3 ms)
Tensione massima inversa (VR): 100V
Caduta di tensione in avanti (VF): in genere circa 0,77 V a 5A
Corrente di perdita inversa (IR): in genere meno di 10μA alla tensione nominale
Intervallo di temperatura di giunzione operativa (TJ): da -55 ° C a +150 ° C

Il diodo Schottky MBR10100CT è inoltre progettato per applicazioni ad alta corrente e offre caratteristiche di prestazione simili a MBR10150CT. Tuttavia, ha un punteggio di tensione inverso massimo inferiore di 100 V, il che significa che è adatto per applicazioni in cui la tensione inversa non supera questo valore.

Equivalente per MBR10100CT

MBR10100CT è un tipo specifico di diodo Schottky con una corrente media massima media di 10A e una tensione inversa ripetitiva massima di 100 V. Sebbene una sostituzione esatta con lo stesso numero di parte potrebbe non essere prontamente disponibile, ci sono opzioni alternative che possono essere considerate. Ecco alcuni potenziali sostituti per il diodo MBR10100CT:

MBR20100CT: MBR20100CT è un diodo Schottky con una corrente media massima di 20A di 20A e una tensione inversa ripetitiva massima di 100 V. Ha caratteristiche elettriche simili a MBR10100CT e può essere utilizzato come sostituzione in molte applicazioni.

STPS20100CT: STPS20100CT è un altro diodo Schottky con una corrente media massima di 20A di 20A e una tensione inversa ripetitiva massima di 100 V. Ha caratteristiche elettriche simili a MBR10100CT e può essere utilizzata come sostituzione in varie applicazioni.

SB5100: SB5100 è un diodo Schottky con una corrente media massima di 5A e una tensione inversa ripetitiva massima di 100 V. Sebbene abbia una valutazione di corrente inferiore rispetto a MBR10100CT, può comunque essere considerata una sostituzione a seconda dei requisiti specifici del circuito.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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