MJ2955 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

MJ2955 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
STMicroelectronics	MJ2955	47Kb/4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Aug-1999
ON Semiconductor	MJ2955	81Kb/4P	Complementary Silicon Power Transistors April, 2004 ??Rev. 4
ON Semiconductor	MJ2955	71Kb/4P	Complementary Silicon Power Transistors December, 2005 ??Rev. 6
STMicroelectronics	MJ2955	92Kb/7P	Complementary power transistors 29-Jan-2007
Mospec Semiconductor	MJ2955	167Kb/3P	POWER TRANSISTORS(15A,50V,115W)
Motorola, Inc	MJ2955	130Kb/4P	15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS
Wing Shing Computer Com...	MJ2955	64Kb/1P	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
Boca Semiconductor Corp...	MJ2955	174Kb/3P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Inchange Semiconductor ...	MJ2955	112Kb/3P	isc Silicon PNP Power Transistors
Savantic, Inc.	MJ2955	112Kb/3P	Silicon PNP Power Transistors
Savantic, Inc.	MJ2955	114Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Continental Device Indi...	MJ2955	336Kb/4P	SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS
Central Semiconductor C...	MJ2955	493Kb/2P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Multicomp Pro	MJ2955	449Kb/4P	Transistor, PNP TO-3 12/09/19 V1.0
Multicomp Pro	MJ2955	234Kb/5P	Complementary Power Transistors 31/05/05 V1.0
ON Semiconductor	MJ2955A	235Kb/6P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 1995 REV 1
Mospec Semiconductor	MJ2955A	193Kb/4P	POWER TRANSISTORS(15A)
Motorola, Inc	MJ2955A	235Kb/6P	15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60, 120 VOLTS 115, 180 WATTS
Boca Semiconductor Corp...	MJ2955A	200Kb/4P	COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
Savantic, Inc.	MJ2955A	141Kb/4P	Silicon PNP Power Transistors

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Breve descrizione di MJ2955

L'MJ2955 è un transistor di giunzione bipolare NPN ad alta potenza (BJT) comunemente utilizzato per applicazioni di amplificazione e commutazione ad alta potenza per uso generale. Ecco le caratteristiche chiave e le specifiche di MJ2955:

Tipo di transistor: MJ2955 è un transistor Junction npn bipolare (BJT), il che significa che è costituito da tre strati di semiconduttore: P-drogato (base), n-drogato (emettitore) e p-drogato (collettore).

Amplificazione ad alta potenza: MJ2955 è specificamente progettato per applicazioni di amplificazione ad alta potenza in cui devono essere gestiti livelli di potenza significativi.

Configurazione NPN: essendo un transistor NPN, MJ2955 opera con una tensione positiva alla base rispetto all'emettitore per il normale funzionamento.

Tensione elevata di emettitori da collezione (VCEO): MJ2955 è in grado di gestire livelli di tensione di emettitori collettori relativamente elevati, in genere fino a 60 volt o più, rendendolo adatto per applicazioni ad alta tensione.

Elevato guadagno di corrente (HFE): MJ2955 ha in genere un guadagno di corrente CC elevato (HFE), consentendo un'amplificazione efficiente dei segnali di input in applicazioni ad alta potenza.

Dissipazione ad alta potenza: MJ2955 è progettato per gestire livelli elevati di potenza, in genere diversi watt o più, rendendolo adatto per applicazioni in cui è richiesta un'amplificazione di potenza significativa.

Pacchetto TO-3: è comunemente disponibile in un pacchetto TO-3 Metal Can, che offre un'eccellente conducibilità termica e robustezza meccanica, rendendolo adatto per applicazioni ad alta potenza che richiedono dissipazione di calore.

Applicazione: l'MJ2955 è comunemente utilizzato nei circuiti di amplificatore ad alta potenza, nei regolatori di tensione, nei centrali elettrici, nei circuiti di controllo del motore e in altre applicazioni in cui è necessaria l'amplificazione o la commutazione ad alta potenza.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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